林聚承
- 作品数：8 被引量：32H指数：2
- 供职机构：重庆大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种新型650nm的光电探测器被引量：2
- 2004年
- 主要阐述了一种新型P* PIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率。
- 林聚承袁祥辉
- 关键词：光电探测器响应度PIN
- P<Sup>+</Sup>PIN硅光电探测器
- 本发明公开了一种P<Sup>+</Sup>PIN硅光电探测器，包括下部的N<Sup>+</Sup>层、中部的非掺杂本征层、上部含有P<Sup>+</Sup>型浓硼扩散层的硼扩散区，N<Sup>+</Sup>层的下表面设置...
- 潘银松孔谋夫林聚承张仁富
- 文献传递
- 采用新型读出电路的CMOS图像传感器研究被引量：3
- 2007年
- 设计了一种采用新型读出电路的CMOS图像传感器,该器件电路结构简单,由四个MOS管,一个电容构成;驱动信号源少,只需两个相配合的脉冲;功耗小于0.7mW;单端输出方便模数转换的视频信号;可以实现片内差分。给出了理论分析和电路模拟仿真的结果数据及波形。采用标准1.2μmN阱DPDMCMOS工艺设计了一个256元的实验器件,像元中心距为25μm,器件尺寸大小为1mm×11mm,并对器件进行了主要参数的测试和数据分析,验证了该器件的功能。
- 林聚承袁祥辉吕果林黄友恕
- 关键词：CMOS图像传感器积分时间
- CMOS数字图像传感器研究进展被引量：24
- 2005年
- CMOS图像传感器已从无源和有源像素结构发展到数字图像传感器(DPS),数字图像传感器是CMOS图像传感器的发展方向,DPS的优势在于可把整个图像系统集成在一块芯片上,构成单芯片成像系统,从而降低成本,节约系统功耗,改善成像质量.片上集成模数转换器(ADC)是CMOS图像传感器的关键部件,重点分析和比较了三类不同集成方式:芯片级、列级和像素级的原理、性能和特点.介绍了目前国内外数字图像传感器的发展现状及其未来的发展趋势.
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- 关键词：CMOS数字图像传感器ADC
- 新型CMOS图像传感器的研究
- CMOS图像传感器在工业、交通、多媒体、医学等领域有着广泛的应用。CMOS图像传感器是利用成熟CMOS工艺将感光元件和读出电路集成在同一芯片上,具有高集成度、低功耗等特点。
本文首先介绍了CMOS...
- 林聚承
- 关键词：CMOS图像传感器光电二极管读出电路移位寄存器版图
- 文献传递
- P^+PIN结构的650nm光电探测器的研究被引量：2
- 2007年
- 研究了一种新型P+PIN结构的硅650nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650nm光电探测器的0.30A/W提高到了0.380A/W,且具有约279MHz的较高响应速度.
- 潘银松孔谋夫林聚承
- 关键词：光电探测器光学吸收响应度
- 硅光电检测器
- 本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N<Sup>+</Sup>层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P<Sup>+</Sup>型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具...
- 潘银松孔谋夫林聚承张仁富
- 文献传递
- 一种新型650nm的光电探测器
- 主要阐述了一种新型PPIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率。
- 林聚承袁祥辉
- 关键词：光电探测器响应度PIN
- 文献传递
