林春
- 作品数：138 被引量：135H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院国防科技创新基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学机械工程更多>>
- 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法
- 本发明公开了一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法。该方法在需要制备铟柱的芯片上分别进行两次旋涂光刻胶，两次单独曝光，一次显影的方法进行铟柱孔的光刻，在高真空热蒸发沉积铟层时，保证芯片处于铟蒸发源的正上方，铟层生长...
- 廖清君马伟平朱建妹林春王建新胡晓宁
- 文献传递
- 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用
- 何力丁瑞军张勤耀杨建荣林春胡晓宁王小坤陈路廖清君魏彦锋孙士文陈洪雷傅雨田林长青刘银年
- 该项目属于信息科学领域。红外焦平面是航天红外遥感探测技术的核心，其关键是必须具有高的探测性能，还必须具有长工作寿命和高可靠性，涉及碲镉汞红外材料、探测器芯片、超大规模集成电路设计、拼接和封装等多项难点，国际上仅美、法等少...
- 关键词：
- Au/Mo与HgCdTe的欧姆接触研究
- 研究了Au/Mo与HgCdTe之间的金属半导体接触,并且研究了快速热处理对Au/Mo与中短波HgCdTe材料之间接触的影响.通过传输线模型测试了不同温度下(80K,300K)的比接触电阻.结果表明,Au/Mo与长波的p-...
- 刘丹林春
- 关键词：欧姆接触HGCDTE比接触电阻退火
- 碲镉汞红外焦平面器件技术进展被引量：18
- 2020年
- 近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。
- 丁瑞军杨建荣何力胡晓宁陈路林春廖清君叶振华陈洪雷魏彦锋
- 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延液相外延读出电路
- PbTe中红外光伏探测器被引量：2
- 2011年
- 利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.
- 魏晓东蔡春峰张兵坡胡炼吴惠桢张永刚冯靖文林加木林春方维政戴宁
- 关键词：PBTE光伏探测器中红外
- 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
- 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...
- 叶振华黄建杨建荣尹文婷邢雯林春陈兴国胡晓宁丁瑞军何力
- 一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法
- 本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。去除复合掩膜的两种介...
- 施长治林春
- 文献传递
- 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器被引量：6
- 2012年
- 采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B+注入、台面侧向钝化和爬坡金属化,得到了同时模式的128×128面阵MW/LW双色探测器.在液氮温度下,MW/LW双色探测器两个波段的光电二极管截止波长λc分别为5.10μm和10.10μm,对应的峰值探测率Dλp*分别为2.02×1011cmHz1/2/W和3.10×1010cmHz1/2/W.通过对同时模式双色探测器材料与芯片结构的优化设计,HgCdTe双色探测器MW向LW、LW向MW的光谱串音分别抑制到了3.8%和4.4%.
- 叶振华李杨胡伟达陈路廖亲君陈洪雷林春胡晓宁丁瑞军何力
- 关键词：HGCDTE中波
- 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法
- 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地...
- 叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 12.5μm长线列碲镉汞焦平面杜瓦组件被引量：6
- 2012年
- 256×2碲镉汞焦平面模块由2个256×1元芯片和2个光伏信号硅读出电路模块平行对称组成,并分别与2个不同波段的微型滤光片以架桥式结构直接耦合后封装在全金属微型杜瓦内,形成了长波256×2长线列碲镉汞红外探测器件组件。基本解决了256×2焦平面杜瓦组件的关键技术,即高精度的组装技术、器件在冷平台上的热失配设计技术和高可靠性封装技术。对抑制杂散光、降低背景辐射、提高组件的可靠性等方面采取了一系列措施,使研制的碲镉汞焦平面器件获得了良好的性能,并进行了一系列空间适应性实验,实验前后的组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。
- 夏王王小坤林春曹妩媚孙闻郝振怡李言谨丁瑞军
- 关键词：长波红外焦平面探测器碲镉汞
