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杨昆

作品数：24 被引量：9H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程自动化与计算机技术天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 5篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球

主题

  • 12篇导电类型
  • 10篇半导体
  • 9篇电极
  • 9篇接触区
  • 9篇硅电极
  • 8篇导通
  • 8篇电阻
  • 6篇导通电阻
  • 6篇比导通电阻
  • 5篇电荷
  • 5篇电荷平衡
  • 5篇源极
  • 5篇终端结构
  • 4篇损耗
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇导航
  • 2篇导通损耗
  • 2篇地磁

机构

  • 24篇电子科技大学

作者

  • 24篇杨昆
  • 18篇王睿
  • 18篇乔明
  • 18篇张波
  • 18篇李肇基
  • 18篇章文通
  • 13篇王卓
  • 9篇张森
  • 1篇康戈文
  • 1篇李洪

传媒

  • 1篇船海工程

年份

  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 10篇2019
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2006
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
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具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法
本发明提供一种具有低比导通电阻的槽型器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层...
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一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构
本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环，使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压，这样就避免了...
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具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法
本发明提供一种具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：深埋层，第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第一介质氧化层、第二...
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电荷平衡的槽型器件终端结构
本发明提供一种电荷平衡的槽型器件终端结构，包括有源区末端结构和终端区结构；有源区末端结构包括：第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质...
章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基
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具有纵向浮空场板的器件及其制造方法
本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；本发明在器...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
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基于多信息表示学习的知识图谱推理研究
随着智能信息服务的迅猛发展,知识图谱逐渐成为互联网数据知识服务的主要形式,在智能领域得到广泛的应用和发展。由于目前大部分开放知识图谱中,存在大量实体之间隐含的关系尚未发掘,不完整的问题限制了诸多下游应用的效能发挥,知识图...
杨昆
关键词：知识图谱神经网络
具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法
本发明提供一种具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法，包括：第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第...
章文通何俊卿杨昆王睿乔明王卓张波李肇基
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具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法
本发明提供一种具有低比导通电阻的槽型器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层...
章文通何俊卿杨昆王睿乔明王卓张波李肇基
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具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体...
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