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李俊

作品数:5 被引量:10H指数:3
供职机构:上海大学机电工程与自动化学院更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会科研基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:机械工程自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇误码
  • 2篇误码率
  • 2篇码率
  • 2篇LT码
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇等差
  • 1篇低工作电压
  • 1篇虚拟仪器
  • 1篇虚拟仪器技术
  • 1篇仪器技术
  • 1篇源极
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇振动
  • 1篇振动信号
  • 1篇智能型
  • 1篇轴承
  • 1篇晶体管
  • 1篇卷尺
  • 1篇绝缘层

机构

  • 5篇上海大学
  • 1篇新南威尔士大...

作者

  • 5篇李俊
  • 2篇余光伟
  • 2篇高守玮
  • 1篇王成龙
  • 1篇张建华
  • 1篇赵婷婷
  • 1篇陈晓阳
  • 1篇张浩
  • 1篇赵龙龙
  • 1篇赵越
  • 1篇郭爱英
  • 1篇李传峰
  • 1篇薛雷

传媒

  • 1篇电子测量技术
  • 1篇机电工程
  • 1篇轴承
  • 1篇发光学报
  • 1篇计算机技术与...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
不同权重优先级不等差错保护LT码的设计
2015年
通过分析当前LT码在实践中的应用,根据传输数据具有不同优先级的特点,针对等差错保护LT(EEP-LT)码在这方面的性能缺陷,提出了不同权重优先级不等差保护特性LT(UEP-LT)码的设计。该设计按传输数据的优先级提供对数据层不同的保护水平。根据传输标准图像时的译码开销以及误码率判断性能,仿真结果显示,提出的UEP-LT码能以极低的译码开销恢复大多数高优先级的数据,在合理的译码开销下具有比等差保护(EEP)低的误码率。同时,抛物线形优先级的UEP-LT码比线性优先级的UEP-LT码在译码开销和误码率方面具有更好的性能。
王孝欣高守玮袁舰李俊
关键词:LT码
线性优先级不等差保护LT码的设计
2014年
LT码作为一种无码率的编码,能显著地提高网络数据吞吐量。在不同优先级的网络数据传输中,不等差保护(UEP)是一种必要的方法。所以,设计一个性能良好的具有不等差错保护功能的LT码有很大的应用价值。文中设计了一类具有线性优先级不等差保护特性的LT码(UEP-LT)。也就是说,对数据层的保护水平是线性分布的。提出的UEPLT码能以极低的译码开销恢复大多数高优先级的数据。同时,这种UEP-LT码在合理的译码开销下具有比等差保护(EEP)低的误码率,更好地满足了多媒体传输中对不等差错保护的要求。
赵龙龙高守玮赵越李俊
关键词:LT码误码率
基于虚拟仪器技术的滚动轴承故障诊断系统被引量:3
2007年
基于虚拟仪器技术的思想,利用labview软件设计并搭建了滚动轴承振动测试及故障诊断系统。通过对滚动轴承振动信号的采集及处理,得到轴承的各项振动性能参数。系统能够根据参数值、振动的时域图以及频谱图,对轴承状态进行准确判断,并可显示出故障产生部位及其发展趋势。
余光伟李俊陈晓阳王成龙王家亮
关键词:滚动轴承振动信号虚拟仪器技术故障诊断
基于单片机的智能型无刻度电子卷尺设计被引量:3
2008年
提出并设计了微电脑智能型电子卷尺。该设备由机械装置、电路和软件3大部分组成,并利用单片机计算、显示、存储以及传输测量的数据。该设备操作简单、测量精确、数据存储量大,并且具备与计算机通讯的功能。其工作状态完全不受恶劣的工作环境影响,可取代目前国内油田现场中对油井管杆人工测量的方式。
李俊余光伟薛雷李传峰
关键词:智能型光耦单片机
基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用被引量:4
2020年
随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm^2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10^7的高开关比。同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性。实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性。最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益。
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共1页<1>
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