曹章轶
- 作品数：24 被引量：7H指数：2
- 供职机构：上海空间电源研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程金属学及工艺核科学技术一般工业技术更多>>
- 富铜生长时间对低温生长铜铟镓硒薄膜结构特性的影响
- 本文采用低温三步共蒸发法在PI衬底上沉积CIGSe薄膜，薄膜为随机取向生长，并在深度方向显现出分层现象。CIGSe薄膜存在Ga的两相分离，薄膜底部和顶部为高Ga相的细碎小晶粒、薄膜中部为低Ga相的大晶粒。随着富Cu生长时...
- 曹章轶吴敏张冬冬
- 具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法
- 本发明公开了一种具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法。包括：在衬底上依次沉积背电极Mo膜[11]、Ag膜[12]，透明导电ZnO:Al薄膜[13]、MoSe<Sub>2</Sub>薄膜[14]、吸收层[15]...
- 徐传明曹章轶马贤芳王小顺
- 一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法
- 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子...
- 张德涛徐传明曹章轶吴敏张冬冬
- 文献传递
- 多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法
- 一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法，使用激光刻蚀电池结构材料，采用连续两次刻蚀工艺，通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整，可以精确控制每个刻槽的宽度和深度；通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、...
- 曹章轶吴敏周大勇陈臻纯马宁华孙利杰范晓望王矽徐建明唐道远蒋帅焦小雨
- 文献传递
- 化学水浴法制备CIGS 薄膜太阳电池Zn(S,O,OH)材料的研究
- 一步提高铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池效率,Zn(S,O,OH)等宽带隙缓冲材料近年来越来越得到重视和发展.本文采用化学水浴方法(CBD)制备Zn(S,O,OH)薄膜,较为深入地研究了硫脲浓度等参数对Zn(S,O,OH...
- 张德涛曹章轶徐传明吴敏
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池
- 衬底温度对低温制备铜铟镓硒薄膜结晶性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系。结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响。
- 曹章轶吴敏张冬冬
- 关键词：衬底温度
- SiON/SiO_2复合膜层对太阳能电池阵板间电缆的表面改性及其耐空间环境性能被引量：2
- 2018年
- 在空间站工作的太阳电池阵板间电缆上下表面为聚酰亚胺薄膜,在低轨运行时会受到原子氧的强烈侵蚀,需要采取措施对其进行保护。采用射频磁控溅射法在电缆表面制备了颗粒尺寸均匀、排列致密的SiO_2膜层。通过表征空间环境试验前后样品发现由于电缆表面的凸起颗粒等缺陷无法完全被SiO_2膜层覆盖,导致原子氧会对缺陷位置产生侵蚀作用。采用全氢聚硅氮烷溶液对板间电缆基底进行表面改性处理,制备的聚硅氧氮烷涂层(SiON)可以有效地覆盖电缆基底表面的凸起颗粒等缺陷,使得其上溅射的SiO_2膜层表面光滑平整。经原子氧暴露试验,SiON/SiO_2层内部没有受到其侵蚀作用,可以防止原子氧对电缆基底的破坏。经多次冷热循环试验,SiON/SiO_2复合膜层仍然具备良好的结构特性与结合性能。
- 曹章轶吴敏马聚沙陈萌炯王训春张宗波
- 关键词：SIO2复合膜层表面改性
- 一种柔性无机电致变发射率材料及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种柔性无机电致变发射率材料及其制备方法与应用，属于材料工程技术领域。所述柔性无机电致变发射率材料，包括自下而上依次设置的柔性衬底层、金属层、下电极层、氧化镍离子存储层、氧化钽电解质层氧化钨电致变发射率层和上...
- 唐道远徐建明张冬冬吴敏马宁华曹章轶蒋帅
- 文献传递
- 柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法
- 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极...
- 张冬冬吴敏徐传明曹章轶张德涛陈亮
- 文献传递
- 一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法
- 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子...
- 张德涛徐传明曹章轶吴敏张冬冬
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