曹昕
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
- 2000年
- 测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率 ,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化 .
- 王晓光常勇桂永胜褚君浩曹昕曾一平孔梅影
- 关键词：光致发光性质Δ掺杂砷化镓
- 一种MBE生长的用于GaAs功率PHEMT的优良微结构材料
- 曹昕曾一平孔梅影潘量陈堂胜
- 关键词：MBE生长GAAS功率微结构材料
- MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
- 2000年
- 用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.
- 曹昕曾一平孔梅影王保强潘量张昉昉朱战萍
- 关键词：PHEMTMBE掺杂
- MBE生长实用化高质量p-HEMT结构材料
- 该文给出一种用MBE方法制备实用的p-HEMT材料方法，其2DEG浓度随材料结构不同在2.0-4.0×10<'12>cm<'-2>之间，室温霍耳迁移率在5000-650cm<'2>v<'-1>S<'-1>之间。厚度不均匀...
- 王宝强曹昕曾一平
- 关键词：MBE生长
- 文献传递
