岳呈阳
- 作品数：42 被引量：3H指数：1
- 供职机构：济宁学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东省高等学校科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学医药卫生自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 硫属化合物[Co(dien)][Sn_2S_6](dien=diethylenetriamine)的溶剂热合成及其晶体结构
- 2013年
- 在400K温度下,通过溶剂热合成方法,以Co(CH3COO)24H2O,Sn粉,S粉为原料,按化学反应计量比混合,二乙烯三胺和水为溶剂反应合成了一个新的硫属化合物[Co(dien)2][Sn2S6].通过元素分析和X-射线单晶衍射仪对此化合物结构进行表征,化合物属三斜晶系,空间群为P-1.该化合物包含四面体形状的[Sn2S6]4-阴离子和过渡金属配合物阳离子[Co(dien)2]2+.这两种结构单元通过氢键相连形成三维网状结构.
- 岳呈阳马云翔赵志飞迟舒月
- 关键词：硫属化合物溶剂热合成晶体结构
- 零维杂化无铅金属卤化物材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种零维杂化无铅金属卤化物材料及其制备方法和应用，属于发光材料技术领域。其技术方案为：所述零维杂化无铅金属卤化物材料的分子式为[Im‑BDMPA]InCl<Sub>6</Sub>·H<Sub>2</Sub>O...
- 雷晓武岳呈阳李东阳
- 一种光敏剂活化的微孔碘化铅光电材料及其制备方法
- 本发明关于光敏剂活化的微孔碘化铅光电材料及其制备方法，属于材料制备技术领域，光敏剂为[Co(2.2‑bipy)<Sub>3</Sub>]配合物，微孔框架为[Pb<Sub>8</Sub>I<Sub>21</Sub>]，采用...
- 雷晓武岳呈阳
- 文献传递
- HCNO与F反应机理的理论研究被引量：1
- 2013年
- 利用量子化学计算方法,采用密度泛函理论(DFT)研究了大气环境中F与雷酸(HCNO)分子反应的机理.在6-311++G**和6-311G**基组水平上,优化得到了反应物、过渡态、中间体和产物的几何构型;在B3LYP/6-311++G**优化的构型基础上,利用CCSD(T)/6-311++G**方法对各驻点的单点能量进行校正;通过振动分析对过渡态和中间体构型进行了确认.计算结果表明:F与HCNO分子的反应有两种不同的反应机制.其中,F加成到HCNO分子中O原子上消去OF基团的反应是主要反应通道,P1(HCN+OF)为主要产物.
- 武卫荣姬生伦岳呈阳
- 关键词：HCNOF自由基密度泛函理论反应机理
- 微孔过渡金属卤化物可见光催化材料及其制备方法和应用
- 本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种光化学稳定的新型微孔过渡金属卤化物可见光催化材料[(Me)<Sub>2</Sub>-2,2-bipy]M<Sub>8</Sub>X<Sub>10</Sub>(M＝Cu/Ag,X＝Br...
- 雷晓武岳呈阳
- 文献传递
- 微孔过渡金属卤化物可见光催化材料及其制备方法和应用
- 本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种光化学稳定的新型微孔过渡金属卤化物可见光催化材料[(Me)<Sub>2</Sub>‑2,2‑bipy]M<Sub>8</Sub>X<Sub>10</Sub>(M＝Cu/Ag,X＝Br...
- 雷晓武岳呈阳
- 文献传递
- 一种对温度敏感的发光半导体材料及其制备方法和应用
- 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种对温度敏感的发光半导体材料，分子式为C<Sub>14</Sub>N<Sub>4</Sub>H<Sub>30</Sub>Cu<Sub>2</Sub>PbI<Sub>6</Sub>，属...
- 雷晓武岳呈阳
- 文献传递
- 新型d^8,d^(10)过渡金属配合物的结构、发光性能研究进展
- 2010年
- 具有d8,d10电子组态的过渡金属配合物因金属离子独特的电子结构与金属-金属键的形成从而具有特殊的发光性能,是分子荧光材料研究中最为活跃的前沿领域之一。本文简要介绍了d8,d10过渡金属配合物的结构特征与发光机理,并综述了其荧光性能以及应用研究的新进展。
- 岳呈阳
- 关键词：荧光
- 零维杂化铟基卤化物材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种零维杂化铟基卤化物材料及其制备方法和应用，属于技术领域。其技术方案为：所述零维杂化铟基卤化物材料的分子式为[DADPA]InX<Sub>6</Sub>·H<Sub>2</Sub>O，其中，DADPA为3,...
- 雷晓武岳呈阳李东阳
- 极性金属间化合物LuSn_2的合成、晶体结构及能带特征(英文)
- 2011年
- 在惰性气氛氩气保护下,通过高温固相反应合成得到了一个新的二元极性金属间化合物LuSn2。经X-射线单晶衍射与元素分析等方法确定了其晶体结构。LuSn2属正交晶系,空间群为Cmcm,晶体学参数a=0.435 11(10)nm,b=1.601 6(4)nm,c=0.427 80(8)nm,V=0.298 12(11)nm3,Z=4,R1=0.017 0,wR2=0.032 4。LuSn2属于ZrSi2结构类型,其结构中包含有一维"之"字型Sn链与二维四方格子状Sn层,Lu原子排列在Sn链与Sn层的空隙中。能带结构计算表明LuSn2呈金属导电性。
- 岳呈阳
- 关键词：晶体结构
