尚大山
- 作品数：20 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种非易失性阻变存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种非易失性阻变存储单元及其制作方法。该非易失性阻变存储单元包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其中所述存储介质层为Ag<Sub>x</Sub>O薄...
- 尚大山董春颖孙继荣沈保根赵同云
- 文献传递
- 基于忆耦器实现神经突触可塑性和神经网络模拟
- 2018年
- 现代计算机自问世以来一直采用冯·诺依曼结构,即运算器与存储器分离,这种结构使得运算器与存储器之间的数据传输成为影响系统性能的瓶颈（称为冯·诺依曼瓶颈）,大大限制了计算机性能的提高;同时,由于现代计算机中的运算器和主存储器都是易失性器件,不仅在断电后信息立即消失,而且具有较高的能耗。作为对比,人类的大脑是一个高效的信息存储与计算系统,而且具有非常低的功耗（约20W）。
- 尚大山孙阳
- 关键词：突触可塑性计算机性能主存储器信息存储运算器数据传输
- 忆耦器:一种基于非线性磁电耦合效应的新型信息存储器
- 忆耦器(Memtranstor)是一种基于非线性磁电耦合效应实现电荷q 与磁通j 关联的非线性记忆元件(memelement)。基于忆耦器可以构建一种新型非易失性存储器。其原理是利用磁电耦合系数a(或者等价于电耦T = ...
- 孙阳尚大山柴一晟申见昕鲁佩佩
- 关键词：磁电耦合多铁性信息存储
- 基于磁电耦合效应实现第四种基本电路元件
- 电阻器、电容器和电感器是人们熟知的三个基本电路元件。在电路理论中,它们分别由四个基本电路变量—电荷(q)、电压(v)、电流(i)和磁通(ψ)—两两之间的线性关系来定义。基于对称性考虑,1971年Leon Chua提出应该...
- 孙阳尚大山柴一晟曹则贤陆俊
- 关键词：磁电耦合
- 基于磁电耦合效应的第四种基本电路元器件
- 电阻、电容和电感是人们熟知的三种基本电路元件,分别由四个基本电路变量(电压、电流、电荷、磁通)之间的线性关系来定义.1971年,Chua 提出应该存在由电荷和磁通之间的关系来定义的第四种基本电路元件—忆阻器(Memris...
- 尚大山柴一晟陆俊曹则贤孙阳
- 一种电磁转换器件
- 本发明提供一种电磁转换器件，包括：中间层和位于所述中间层两侧的电极层，其中，所述中间层为磁电耦合介质层。本发明的电磁转换器件可以作为第四类基本电路元件，具有电荷与磁通相互转换的功能，为电子电路与信息功能器件的设计增加了新...
- 孙阳柴一晟尚大山陆俊
- 文献传递
- 一种柔性阻变存储器及其制备方法
- 本发明提供一种柔性阻变存储单元及其制造方法。该柔性阻变存储单元包括：柔性绝缘衬底，在该柔性绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其中所述存储介质层为Zn<Sub>(1-x)</Sub...
- 史磊尚大山孙继荣沈保根赵同云
- 文献传递
- 基于磁电耦合效应的非易失性存储器
- 磁电耦合效应是指磁场控制电极化或者电场控制磁性。利用磁电耦合效应可以建立电荷q 与磁通ψ的直接关联，从而实现第四种基本电路元件—电耦器(transtor)和相应的非线性记忆元件忆耦器(memtranstor)。
- 孙阳尚大山柴一晟申见昕鲁佩佩
- 关键词：磁电耦合存储器多铁性
- 一种电磁转换器件以及包含这种电磁转换器件的信息存储器
- 一种电磁转换器件，包括：中间层和位于该中间层两侧的电极层，其中，中间层为磁电耦合介质层。该电磁转换器件可以作为第四种基本电路元件，具有电荷与磁通相互转换的功能，为电子电路与信息功能器件的设计增加了新的自由度。另外，该电磁...
- 孙阳柴一晟尚大山
- 文献传递
- 基于忆耦器实现神经突触可塑性和神经网络模拟
- 模拟生物神经突触的人工神经突触器件因其在发展类脑计算中的潜力而引起了广泛的关注.现在的研究主要集中在利用忆阻器件电阻状态的改变来模仿神经突触行为.这里演示了一种基于忆耦器的新型人工神经突触器件1.忆耦器是除忆阻器、忆容器...
- 申见昕尚大山柴一晟王守国沈保根孙阳
- 关键词：神经网络
