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宫本恭幸

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：东京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇纳米硅

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇东京工业大学

作者

  • 1篇小田俊理
  • 1篇方忠慧
  • 1篇马忠元
  • 1篇徐骏
  • 1篇周江
  • 1篇黄信凡
  • 1篇姚尧
  • 1篇陈坤基
  • 1篇李伟
  • 1篇宫本恭幸

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
2008年
利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.
姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理
关键词：纳米硅
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