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娄书礼

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇可靠性
  • 1篇导电胶
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁兼容
  • 1篇电磁兼容试验
  • 1篇电路
  • 1篇振荡器
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇失效率
  • 1篇中子
  • 1篇中子注量
  • 1篇微波器件
  • 1篇厚膜
  • 1篇厚膜电路
  • 1篇高可靠
  • 1篇高可靠性
  • 1篇EMS系统
  • 1篇GAASFE...

机构

  • 5篇南京电子器件...
  • 1篇中国电子产品...

作者

  • 5篇娄书礼
  • 2篇陶有迁
  • 1篇龚朝阳
  • 1篇金毓铨

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
微波器件失效率快速试验方法研究
1993年
介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤｓｓ的退化模型ＩｎＰ＝α＋ｂｌｎｔ，分析了ＩＤｓｓ退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。
娄书礼龚朝阳金毓铨苏德青
关键词：可靠性微波器件
电磁兼容试验及试验方法研究被引量：1
1999年
介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程， 对试验方法进行了一些探讨。
陶有迁娄书礼
关键词：电磁兼容EMS系统
振荡器的高可靠性研究
1996年
1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试验测量结果,并对其可靠性进行了评价分析。2 振荡器简介高Q介质谐振振荡器是产生固定频率的理想振荡器。在1—5GHz频段通常使用双极晶体管做为振荡器的有源器件,而在4—18GHz频段一般使用GaAsFET作为振荡器的有源器件。
娄书礼
关键词：振荡器可靠性
高温工作寿命试验技术研究被引量：1
1993年
介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下的平均失效率已低于10^(-9)/h的结果。
娄书礼
关键词：厚膜电路导电胶
GaAsFET辐射退化研究
1995年
低噪声ＧａＡｓＦＥＴ和功率ＧａＡＳＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流Ｉ＿（ＤＳＳ）的退化降低，据此提出了Ｉ＿（ＤＳＳ）退化失效与快中子注量ф＿ｎ之间的解析关系式ｌｎｙ＝α＋ｂｌｎф＿ｎ。
娄书礼陶有迁
关键词：中子注量砷化镓器件
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