吴新科
- 作品数：129 被引量：344H指数：8
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省杰出青年科学基金哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种开关串联的模组
- 本发明属于电力电子技术领域，旨在提供一种开关串联的模组。包括多个串联开关、均压电路、驱动采样电路、控制电路、绝缘结构、散热部件和外壳；驱动采样电路位于功率电路上层，经由驱动端子和采样端子和功率电路电连接，功率电路包括多个...
- 邵帅汪欣吴彤张军明吴新科
- 零电压开关不对称半桥双路LED驱动器的研究
- 本文针对传统对称半桥因开关损耗过大、工作频率受限的弱点,提出了一种全新的零电压开关不对称半桥PWM Dc/Dc LED驱动器,可以获得电流自动均衡的两路直流输出。文中详细分析了该电路的工作模态,随后在推导了电路的输出电压...
- 王莉吴新科盛况
- 关键词：不对称半桥零电压开通均流
- 一种磁感器件、电感器、变压器
- 本发明公开了一种磁感器件，包括磁芯部件和扁平绕组；磁芯部件包括柱形的第一磁芯以及和第一磁芯的首尾两端相连共同形成至少一个回字型磁芯结构的第二磁芯；多组扁平绕组逐层贴合叠加设置且每组扁平绕组均绕设于第一磁芯；还包括设置在第...
- 吴新科杨金旭田霖
- 基于GaN HEMT和平面变压器的高效率谐振DC/DC变换器被引量：6
- 2020年
- 为了提高航天领域高压直流母线DC/DC变换器的效率性能和功率密度,基于氮化镓器件和谐振变换器拓扑,研究矩阵变压器和平面磁元件的优化方法,提出了一种包含等效半匝绕组的变压器绕组结构,实现了多个并联副边绕组间以及多个并联整流器件间的均流,降低了损耗,提高了低压大电流输出时的效率。此外,还研究了模块的并联均流方法,搭建了270 V转28 V、1.2 kW输出的模块单体样机和2.4 kW的多模块并联样机,验证了所提出方法的可行性。
- 陈子健秦伟吴新科
- 关键词：平面变压器均流
- 单相级联全桥多电平换流器的控制方法、多电平换流器
- 本发明公开一种单相级联全桥多电平换流器的控制方法、多电平换流器，其中控制方法包括以下步骤：获取输入电压、电感电流、以及全桥单元的输出电压，生成调制波信号；获取全桥单元中各桥臂的载波信号，将所述调制波信号与各载波信号进行比...
- 吴新科齐雨
- 文献传递
- 基于脉冲宽度调制控制策略的零电流开关高功率因数AC/DC变换器被引量：13
- 2003年
- 目前,对单级功率因素校正电路的研究大多集中在小功率应用领域,为此该文提出一种能够应用于中大功率场合、实现了零电流开关的单级高功率因数AC/DC变换器拓扑。通过在全桥变换器中增加辅助开关实现了PWM控制,它不仅能够在很宽的负载范围内实现零电流开关和功率因数校正,而且解决了全桥谐振电路中。在不采用移相控制的情况下,必须采用PFM控制策略的问题。与2级式功率因数校正电路相比,提高了动态响应的速度、降低了成本,并且开关管的电压应力较低。仿真和实验分析验证了变换器的优越性。
- 贲洪奇吴新科刘昭和
- 关键词：零电流开关脉冲宽度调制控制策略
- 软开关高功率因数AC-DC全桥变换器研究
- 该文提出了一种可用于中大功率场合、基于全桥变换器的新型单级功率因数校正拓扑.减小变换器体积最有效的途径是提高开关频率,但是随着频率的提高开关损耗会成倍增加.应用软开关技术可以将器件的开关损耗降低,甚至消除,因此该文中将软...
- 吴新科
- 关键词：功率因数校正软开关全桥变换器零电流
- 文献传递
- 多相均流控制的并联调整电路控制方法
- 本发明涉及直流/直流变换领域及整流领域，旨在提供一种多相均流控制的并联调整电路及控制方法。该电路包括n相并联的调整电路,每一相调整电路的结构均相同，每一相均包括主变压器、辅助变压器；每一相电路中主变压器原边绕组和辅助变压...
- 吴新科陈慧
- 文献传递
- 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器被引量：6
- 2016年
- 半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大,严重制约变换器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET优良的开关特性,采用电感电流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零电压开通状态下,进一步降低开关损耗。针对这种控制方式,详细叙述了各个关键参数的计算,并设计搭建了一台1 100 W的全碳化硅半桥功率因数校正变换器,其达到了较高的效率,峰值效率达到了99.2%。
- 严阳吴新科盛况
- 关键词：碳化硅器件零电压开通
- 共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究被引量：4
- 2016年
- 共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。
- 董泽政吴新科盛况张军明
- 关键词：开关损耗
