卞剑涛
- 作品数：39 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金上海市基础研究重大（重点）项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
- 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面...
- 俞健卞剑涛张丽平刘毓成孟凡英刘正新
- 一种制备直接带隙Ge薄膜的方法
- 本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；...
- 狄增峰郭庆磊张苗卞剑涛叶林陈达
- 文献传递
- 异质结太阳电池中N型单晶硅片的吸杂技术
- 祝方舟王栋梁卞剑涛刘正新
- 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺
- 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h...
- 端伟元邱羽俞健卞剑涛刘正新
- 文献传递
- 锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法
- 本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法。绝缘体上锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在绝缘层上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材...
- 狄增峰卞剑涛张苗王曦
- 文献传递
- 一种全隔离混合晶向SOI的制备方法
- 本发明公开了一种全隔离混合晶向SOI衬底的制备方法，以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的全隔离混合晶向SOI衬底制备方法，采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层，从而可以形成第一晶向的顶层应变硅；采...
- 卞剑涛狄增峰张苗
- 文献传递
- 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法
- 本发明提供一种利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法。该方法首先在第一衬底上依次外延生长超薄掺杂单晶薄膜和超薄顶层薄膜，并通过离子注入和键合工艺，制备出高质量的超薄绝缘体上材料。所制备的超薄绝缘体上材料的厚度范围为...
- 张苗陈达狄增峰薛忠营卞剑涛王刚
- 文献传递
- 硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究被引量：2
- 2019年
- 异质结太阳电池沉积透明导电薄膜(TCO)作为导电层、减反射层,电极直接与TCO接触,故在TCO上电镀金属电极是非选择性的,需沉积种子层和图形化的掩膜,以实现选择性电镀及良好的附着。研究表明,金属与TCO之间具有优异的欧姆接触特性,比接触电阻低。SEM分析表明,电镀电极结构致密,与透明导电薄膜紧密附着,接触电阻小;丝印电极银颗粒间粘结不紧密,具有较多的空隙,线电阻提高,串联电阻增加。铜金属化可以实现更低的线电阻率、更好的电极高宽比,可以显著提高载流子收集几率,通过选择合适的种子层及后退火,铜电镀异质结电池光电性能显著改善,转换效率达到了22%,具有巨大的发展前景。
- 俞健卞剑涛卞剑涛刘毓成
- 关键词：太阳电池电性能
- 晶体硅太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层...
- 卞剑涛祝方舟刘正新
- N型离子注入太阳电池退火温度对发射极质量的影响
- 介绍了试验流程晶格损伤表征J0e,VASE,Raman硼硅团簇模拟高温退火对衬底材料的影响总结，优点:简化工艺流程,降低成本.可实现更精确的掺杂控制,便于制作复杂结构的新型高效电池.
- 祝方舟卞剑涛刘正新
- 关键词：太阳电池离子注入退火温度
