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刘博

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子注入
  • 1篇极值
  • 1篇高压器件
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底电流

机构

  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇王俊
  • 1篇王磊
  • 1篇刘博
  • 1篇程秀兰
  • 1篇冯志刚

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
2009年
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。
刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰
关键词：高压器件衬底电流热载流子注入
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