刘凡宇
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 90nm CMOS工艺下版图形式对电荷共享的影响
- 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响.研究结果表明:对NMOS而言,从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重;对PMOS而言,从器件源极离轰击位置越近电荷共享越严...
- 刘凡宇刘衡竹刘必慰梁斌
- 关键词：半导体集成电路电荷共享CMOS工艺
- 文献传递
- 90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响被引量：4
- 2011年
- 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.
- 刘凡宇刘衡竹刘必慰梁斌陈建军
- 关键词：电荷共享单粒子效应
- 90nm CMOS 工艺下器件版图排布对电荷共享的影响
- 3 维TCAD 器件模拟，研究了90nm CMOS 双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响. 研究结果表明：对NMOS 而言，从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重；对PMOS而言，从器件源极离轰击位置越近电荷共...
- 刘凡宇刘衡竹刘必慰梁斌
- 关键词：电荷共享TCAD
- 90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响被引量：1
- 2011年
- 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小。这对于电荷共享加固具有重要指导意义。
- 刘衡竹刘凡宇刘必慰梁斌
- 关键词：电荷共享单粒子效应
- 90纳米CMOS工艺下单粒子效应引起的电荷共享研究
- 辐射环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被多个敏感节点收集,引发电荷共享效应。随着器件尺寸的不断缩小,单粒子效应引起的电荷共享越来越明显,由此引起的多位翻转(Multi-Bit Upset,MBU)和多...
- 刘凡宇
- 关键词：单粒子效应电荷收集电荷共享
