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凌栋

作品数:7 被引量:19H指数:3
供职机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
发文基金:国防基础科研计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇陶瓷
  • 3篇电子技术
  • 3篇微波介质
  • 3篇微波介质陶瓷
  • 3篇介质陶瓷
  • 2篇SR
  • 1篇电池
  • 1篇电解质
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇氧化锌
  • 1篇液相烧结
  • 1篇燃料电池
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米氧化锌
  • 1篇介电

机构

  • 7篇南京航空航天...
  • 1篇重庆科技学院

作者

  • 7篇凌栋
  • 6篇徐国跃
  • 3篇蔡绍
  • 2篇翁履谦
  • 2篇周勇辉
  • 1篇侯清健
  • 1篇周健
  • 1篇周斌
  • 1篇曹敏
  • 1篇魏静

传媒

  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析被引量:5
2005年
根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol。与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快。
侯清健徐国跃凌栋魏静
关键词:电子技术纳米氧化锌压敏陶瓷晶粒生长液相烧结
BaTi4O9微波介质陶瓷的低温烧结被引量:1
2004年
研究液相多元添加对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和V2O5)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的微波、高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在1MHz下的介电性能:ε=41.2,tgδ=5,τ=82×10-6/℃.基本保持了良好的介电性能.
蔡绍徐国跃翁履谦凌栋
关键词:微波介质陶瓷
BaTi4O9微波介质陶瓷的低温烧结
研究液相多元添加对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和V2O5)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的微波、高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180℃...
蔡绍徐国跃翁履谦凌栋
关键词:微波介质陶瓷
文献传递
降温过程对BaTiO_3陶瓷本征PTC效应的影响被引量:2
2006年
在空气气氛中,于1350℃保温1h的相同条件下,采用不同的降温制度,制备了一系列BaTiO3陶瓷样品。测试了R-θ(阻-温)曲线,采用XRD以及SEM等手段,分析了样品的物相及微观形貌。实验结果表明:BaTiO3陶瓷在1200℃保温2~4h,能够获得晶粒尺寸10μm、较均匀、PTC效应相对较高(3.52×10^4)的样品。还分析了PTC效应与降温温度的关系。
周勇辉徐国跃周斌凌栋
关键词:电子技术PTC效应钛酸钡晶界
BT4//BST高频介电陶瓷的掺杂研究
随着滤波器、谐振器等器件以及通信技术的发展,人们对电介质材料的要求越来越高,要求作为介质谐振腔的电介质材料在高频段下具有高介电常数,低介电损耗,接近于零的介电常数温度系数,还要求高频电介质材料能够在较低的烧结温度下烧成,...
凌栋
关键词:稀土掺杂
文献传递
EDTA-硝酸盐法制备La_(0.8)Sr_(0.2)Ga_(0.85)Mg_(0.15)O_(3-δ)及其性能被引量:6
2006年
用EDTA-硝酸盐法合成了中温固体氧化物燃料电池的电解质La0。8Sr0.2Ga0.85Mg0.15O3-δ(LSGM)。BET法测定了前驱粉体的比表面积。XRD和DTA-TG曲线综合分析了合成过程中的化学反应。热膨胀仪和交流阻抗谱测定了其烧结性能和电化学性能。DTA-TG结果表明粉体在800℃左右开始形成钙钛矿结构,1200℃烧结就可以形成具有完整的钙钛矿结构LSGM样品;XRD表明用该方法合成的LSGM具有纯度高、杂相少等优点;烧结收缩率曲线显示烧结温度比固相法合成低了200℃左右;交流阻抗谱结果计算得到LSGM样品在800℃的电导率为7.5 S/m。
曹敏徐国跃周健周勇辉凌栋
关键词:燃料电池电解质LSGM
Bi_2O_3和V_2O_5复合掺杂BaTi_4O_9微波介质陶瓷被引量:5
2005年
研究了多元掺杂对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。通过单独添加烧结助剂Bi2O3和V2O5以及复合添加Bi2O3、V2O5来降低烧结温度,并且保持较好的微波介电性能。实验结果表明,当复合添加Bi2O3和V2O5各0.5%(质量分数)烧结温度为1160℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在2.5GHz下:εr为40.1,tgδ为6×10–4,τf为64×10–6℃–1,保持了良好的介电性能。
凌栋徐国跃蔡绍
关键词:电子技术微波介质陶瓷
共1页<1>
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