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何永华

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇射频溅射
  • 2篇射频溅射法
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇射频
  • 1篇二氧化锡薄膜
  • 1篇二氧化钛薄膜
  • 1篇富积
  • 1篇SNO
  • 1篇TIO_2薄...
  • 1篇表面形貌
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇于国萍
  • 2篇魏正和
  • 2篇何永华
  • 1篇曾志锋
  • 1篇曾志峰

传媒

  • 2篇武汉大学学报...

年份

  • 2篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频溅射法制备掺铂TiO_2薄膜的基本性质被引量:1
2004年
用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜.用X射线衍射仪(XRD),紫外 可见(UV vis)光谱仪,电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征.研究结果表明:掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长;TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移,其光谱响应范围得到了提高;铂氧化物的分解,促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物,同时导致单质铂在薄膜表面发生富集.
何永华于国萍魏正和曾志锋
关键词:射频溅射法二氧化钛薄膜富积表面形貌
射频溅射法制备掺杂SnO_2纳米薄膜的研究被引量:5
2004年
采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度.
曾志峰于国萍魏正和何永华
关键词:射频溅射法掺杂二氧化锡薄膜
共1页<1>
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