于志强
- 作品数：27 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 一种高可靠性电推进用空心阴极结构
- 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强...
- 郝广辉邵文生张珂于志强
- 文献传递
- 一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法
- 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴...
- 张敏邵文生张珂于志强高玉娟
- 文献传递
- 一种光电阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N发射层和形成在p型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
- 郝广辉邵文生张珂于志强高玉娟
- 一种阴极热子组件及其制作方法
- 本发明公开了一种阴极热子组件，所述阴极热子组件包括以钨粉为原料，采用选择性激光熔融技术一体化成型的多孔发射体、覆盖所述多孔发射体的致密层、位于所述致密层上方的热子发热体以及位于所述热子发热体上方的热子电位引出结构。该阴极...
- 孙信邵文生于志强张珂
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- 烧结温度对高纯氧化铝陶瓷结构与性能的影响
- 2024年
- 以乙醇和异丙醇二元溶剂为体系,高纯氧化镁为烧结助剂,采用流延法制备了高纯氧化铝陶瓷材料,纯度达到99.82%。研究了烧结温度对高纯氧化铝陶瓷致密度、晶粒尺寸及其力学、热学及电学性能的影响。结果表明,在一定范围内,随着温度的升高,高纯氧化铝陶瓷致密化程度增加,晶粒逐渐长大,热导率逐渐升高,介电常数、介电损耗、击穿强度以及体电阻率均有上升的趋势,而抗弯强度先升高后降低,在1650℃烧结时达到最高488.9 MPa。
- 李海青于志强谭会会臧向荣彭子涵闫明
- 关键词：高纯氧化铝流延烧结温度显微结构
- 气体捕集型真空泵及其制作方法和使用方法
- 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛...
- 邵文生于志强高玉娟
- AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究
- 2024年
- 采用流延法制备AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结。对比研究了进口AlN粉体和国产AlN粉体在相同条件下制备的陶瓷基片的性能,结果表明:采用两种粉体制备成的陶瓷基片性能指标基本相当;采用进口粉体制备的基片最佳烧结温度在1830℃,密度达到3.327 g/cm^(3),热导率达到179.0 W/m·K,三点抗弯强度达到374.9 MPa。采用国产AlN粉制备的基片,其最佳烧结温度在1820~1825℃,密度达到3.320 g/cm^(3),热导率达到174.8 W/m·K,三点抗弯强度达到423.1 MPa。
- 谭会会于志强李海青臧向荣闫明赵云鹏
- 关键词：流延性能表征
- M型阴极大电流密度发射性能的研究
- 作者采用近距离水冷阳极二极管和标准电子枪对M型阴极的大电流密度发射能力进行了实验研究.结果表明:二极管内,连续波状态下,在1020CB时,良好的M型阴极能获得高于10A/cm2的发射电流密度;标准电子枪内,连续波状态下发...
- 李季陈其略阎肃秋于志强邵文生张珂高玉娟蔡绍伦袁海清王辉黄开志
- 关键词：大电流密度多注速调管
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- 气体捕集型真空泵及其制作方法和使用方法
- 本发明公开一种气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本发明所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构紧凑、工作电压低、无磁铁、寿命长且应用范围广泛...
- 邵文生于志强高玉娟
- 文献传递
- 一种双阴极气体捕集型真空泵
- 本实用新型公开一种双阴极气体捕集型真空泵，包括壳体、包括多根引针的针封陶瓷芯柱，阴极组件和阳极，该阴极组件包括两个阴极。本实用新型双阴极气体捕集型真空泵本实用新型所述技术方案通过在真空泵中设置两个阴极，实现体积小巧、结构...
- 邵文生于志强高玉娟
