马红梅
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量：2
- 2009年
- 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：等离子体波亚纳秒
- 特种快速大功率半导体切断开关的研制被引量：2
- 2009年
- 介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270kV,宽度约为10ns。
- 杨勇刘英坤崔占东刘忠山马红梅陈洪斌
- 关键词：连续工作模式
- 超快速高压雪崩三极管器件研制被引量：7
- 2009年
- 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：雪崩三极管二次击穿负阻MARX电路超宽带
- 新型亚纳秒切断半导体开关器件研制被引量：3
- 2010年
- 介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。
- 马红梅刘忠山杨勇刘英坤崔占东
- 关键词：等离子体脉冲开关脉冲发生器
- 脉冲压缩开关DBD研究被引量：1
- 2011年
- 延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半导体断路开关(sem iconductoropening switches,SOS)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带脉冲源。介绍了DBD开关的基本工作原理和研制结果,给出了在相同测试条件下,与国外同类开关的测试结果对比波形,结果表明,研制的DBD开关和国外开关的指标基本相同,其中某些指标优于国外开关水平。
- 谭科民杨勇崔占东马红梅刘忠山陈洪斌
- 关键词：半导体断路开关脉冲压缩
- 高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
- 2008年
- 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
- 邓建国刘英坤张鸿亮潘茹马红梅李明月胡顺欣崔现锋
- 关键词：硅微波脉冲功率晶体管
