陈志雄
- 作品数：71 被引量：193H指数：9
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- 相关领域：电子电信化学工程电气工程一般工业技术更多>>
- ZnO压敏陶瓷电流蠕变规律及其机理研究被引量：7
- 1995年
- ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,漏电流会逐渐增大,当此种电流蠕变现象严重时,表明压敏陶瓷的工作是不稳定的;将烧结好的陶瓷热处理,是改善其工作稳定性的有效方法之一.根据晶界缺陷化学模型,认为工作不稳定是晶界肖特基势垒不稳定的结果,而这又是由于构成势垒的亚稳成分填隙锌离子Zn_i^+和Zn_i^(2+)所致;
- 陈志雄石滨付刚唐大海
- 关键词：压敏陶瓷氧化锌晶界层
- 三合剂配制高抗渗、抗蚀混凝土的方法
- 本发明从综合解决抗渗、抗蚀的同时提高混凝土强度的角度入手，研究出一种能满足水工、海工建筑所需的三合剂配制高抗渗、抗蚀混凝土的方法。它是在防水混凝土的基础上按水泥100重量份为基准，同时拌入下列外加剂：;β-萘磺酸盐甲醛缩...
- 樊粤明李智诚钟景裕吴义明黄文新陈志雄吕辉
- 文献传递
- BaTiO_3薄膜的制备及特性研究被引量：2
- 1991年
- 本文以Ba(CH_3COO)_2和Ti(OC_4H_9)_4为原料,以CH_3COOH为催化剂,用溶胶-凝胶方法制备BaTiO0_3薄膜;用红外光谱研究原料水解与聚合形成BaTiO_3的机理;用Χ射线光谱研究薄膜结构,并研究工艺条件与电性能的关系。得到剩余极化强度为6.04μC/cm^2的铁电膜。
- 王培英刘梅冬吴国安陈志雄
- 关键词：铁电溶胶-凝胶
- 深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型被引量：4
- 1997年
- 对６５０￣９００℃之间深度热处理ＺｎＯ压敏陶瓷的研究表明，在直流偏置电压作用下，漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值，正向伏安特性非但没有退化，反而得到改进。设想是由于热处理时，耗尽层中Ｚｎｉ向外扩散速度快，以致耗尽层中Ｚｎｉ浓度迅速降低，结果扩散进入晶界的氧以Ｏ＇ｏ形式得以在界面积累；原来主要由Ｖ＇Ｚｎ构成的界面负电荷转变为主要由Ｖ＇Ｚｎ和Ｏ＇ｏ共同构成，在偏压作用下Ｏ＇ｏ发生迁移所致。
- 陈志雄林国淙付刚唐大海
- 关键词：氧化锌压敏陶瓷
- BaTiO_3凝胶合成的红外吸收光谱研究被引量：12
- 1992年
- 以丁醇钛和醋酸钡为原材料,醋酸为化学添加剂,用溶胶-凝胶方法制备成凝胶,经过700℃热处理后,得到具有四方钙钛矿结构的 BaTiO_3结晶氧化物。红外吸收光谱分析表明,醋酸不仅作为催化剂,而且也作为配位取代物起作用;醋酸根二配位取代丁醇钛中的氧丁基,并直接与钛键合,改变了金属醇盐原材料的性质,从而改变了水解和聚合的速率。由于在凝胶中醋酸钡仍然存在,因此设想钡与钛是通过醋酸根连接并相互作用。控制醋酸加入量,可得到适合的水解和聚合的相对速率,从而使钡与钛能有机会通过醋酸根连接,由此得到透明、均匀并且不易碎裂的凝胶。
- 陈志雄周方桥潘祥生刘梅冬
- 关键词：光谱钛酸钡醋酸
- (Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究被引量：4
- 2001年
- 通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻
- 周方桥吴国安陈志雄
- 关键词：PTCR陶瓷线性电阻温度特性电性能
- GaAs薄膜的飞秒瞬态反射谱与透射谱
- 1997年
- 本文测量了ＧａＡｓ薄膜的瞬态反射谱和透射谱，计算了其复介电常数、复折射率的瞬态变化，发现瞬态透射谱主要反映了样品吸收的变化。
- 皮飞鹏石绢傅刚陈志雄
- 关键词：反射谱透射谱半导体薄膜折射率
- 一种海带营养成分的制备方法
- 本发明涉及一种海带营养成分的制备方法，该方法由以下步骤组成：对海带进行分步提取，分别得到海带乙醇提取液、海带多糖提取液；对海带乙醇提取液进行分离，得到海带低极性营养成分提取液和甘露醇；对海带低极性营养成分提取液进行乳化和...
- 樊亚鸣陈志雄袁观富何芝洲陈永亨
- 文献传递
- SnO_2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析被引量：3
- 2000年
- 采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ２厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究ＳｎＯ２气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明，随保温时间延长，试样的电阻－电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零，说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．
- 傅刚陈志雄陈志雄张进修
- 关键词：气敏元件烧结温度二氧化锡电性能
- 二次热处理的SrTiO_3压敏陶瓷电性能的研究被引量：1
- 2005年
- 采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的.
- 牛丽霞周方桥陈志雄庄严
- 关键词：电子技术SRTIO3
