金豫浙
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
- 2011年
- 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
- 董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管光电性能
- ZnS纳米材料的光致发光和光催化性能的研究
- 利用水热法制备ZnS纳米结构,通过XRD,SEM,PL对ZnS的结构及其物性进行了研究,同时讨论了退火对样品性能的影响。通过光谱分析发现,在400～650nm附近有525nm左右的绿光发射峰,该绿光发射峰强随着ZnS前驱...
- 胡益培陈海涛曾祥华金豫浙李建华
- 关键词：ZNS水热法PL光催化
- 大功率ODRLED性能研究
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；...
- 董雅娟张俊兵金豫浙林岳明陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR大功率GAN
- GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应
- 本文用4万居里的60Co源(剂量率2×105 rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行五种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度,最大半峰宽(FWHM)和电流...
- 金豫浙胡益培杨义军曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管辐照效应
- γ辐照对GaN基白光和蓝光LED的光学和电学特性影响
- 随着LED在空间应用领域的拓展,LED在高辐射环境的研究备受瞩目。本文中GaN基白光和蓝光LED在14万居里的Co(剂量率2kGy/h)源上进行γ射线的辐照处理,LED样品分别给予2kGy、8kGy、16kGy、32kG...
- 金豫浙曾祥华胡益佩
- 文献传递
- ZnS纳米材料的光致发光和光催化性能被引量：2
- 2011年
- 利用水热法制备ZnS纳米材料,通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜术（SEM）、光致发光（PL）对ZnS的结构及其物理性质进行研究,同时探讨退火对样品性能的影响.通过光谱分析发现,在400~650 nm附近有525 nm左右的绿光发射峰,该峰峰强随ZnS前驱体溶液中n（Zn（CH3COO）2）/n（（NH2）2CS）的增加而明显减弱,从不同比例样品的对比可以得出525 nm处的绿光发射峰是由ZnS纳米结构中的锌空位而引起.制备的ZnS纳米颗粒有良好的光催化效果.对样品进行高温退火处理,发现样品退火后结晶度升高,PL绿光发射峰峰强明显降低,催化性能也从50%上升到70%,说明高温退火能有效修复ZnS纳米颗粒在制备过程中由于浓度不均而引起的锌空位.
- 胡益培陈海涛曾祥华金豫浙李建华
- 关键词：硫化锌水热法光致发光光催化退火
- GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应被引量：3
- 2010年
- 本文用4×104Ci(1Ci=3.7×1010Bq)的60Co源(剂量率2×105rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行5种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度、最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(I-V)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性变差,在20mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数τ0Kγ为4.039×10-7rad.s-1,发现较低的正向偏压下(小于2.6V)器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.
- 金豫浙胡益培曾祥华杨义军
- 关键词：GAN发光二极管Γ辐照辐照效应
- 用于高亮LED的Si键合研究
- 2010年
- 在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。
- 王书昶林岳明李伙全刘剑霜张俊兵金豫浙曾祥华
- 关键词：发光二极管
