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郝先人

作品数:5 被引量:6H指数:1
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 2篇放大器
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇应答器
  • 1篇运算放大器
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇噪声系数
  • 1篇识别技术
  • 1篇自动识别
  • 1篇自动识别技术
  • 1篇无源
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼放大

机构

  • 5篇天津大学

作者

  • 5篇郝先人
  • 4篇毛陆虹
  • 3篇陈铭义
  • 2篇杨展
  • 1篇吴顺华
  • 1篇陈力颖
  • 1篇郭维廉
  • 1篇李彦明
  • 1篇张世林

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Design of an Analog Front End for Passive UHF RFID Transponder IC被引量:4
2007年
This paper introduces a high-performance analog front end for a passive UHF RFID transponder IC, which is compatible with the ISO/IEC 18000-6B standard,operating at the 915MHz ISM band with a total supply current consumption less than 8μA. There are no external components, except for the antenna. The passive IC's power supply is taken from the energy of the received RF electromagnetic field with the help of a Schottky diode rectifier. The RFID analog front end includes a local oscillator, clock generator, power on reset circuit, matching network and backscatter,rectifier,regulator, and AM demodulator. The IC, whose reading distance is more than 3m,is fabricated with a Chartered 0.35μm two-poly four-metal CMOS process with Schottky diodes and is EEPROM supported. The core size is 300μm × 720μm.
陈力颖吴顺华毛陆虹郝先人
关键词:RFID
低功耗限制的级间匹配型2.45GHz低噪声放大器设计被引量:1
2008年
文章在分析传统LNA结构的基础上,针对其存在的两个问题,提出了相应的改进方法,并用chartered 0.35μm RFCMOS工艺设计了一个工作于2.45GHz的LNA。改进之一是在共源共栅管之间加一匹配电感,抑制共栅管对噪声系数的影响,使噪声系数从1.759dB降低为1.63dB,增益从32.36dB增大到36.31dB。之二是在输入管的栅源之间加一电容,保证了在功耗降低的情况下,仍然能同时满足功率和噪声匹配要求,使噪声系数基本保持不变。
杨展毛陆虹郝先人李彦明陈铭义
关键词:低噪声放大器噪声系数级间匹配
用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达被引量:1
2006年
研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.
陈铭义毛陆虹郝先人张世林郭维廉
关键词:喇曼放大SOI脊形波导PIN结构
无源UHF RFID应答器芯片模拟前端设计
随着自动识别技术的发展以及其应用范围的不断扩大,要求将整个集成电路模块或整个系统集成到单个芯片,形成片上系统(SOC)以增强芯片功能和降低系统成本。利用超高频(UHF)电磁波进行工作并全集成的无源式射频识别(RFID)应...
郝先人
关键词:自动识别技术芯片设计
文献传递
1 V低功耗套筒式CMOS运算放大器的设计
2006年
介绍了一种用于低电压CMOS模拟集成电路设计的阈值调节思想。利用该思想,在0.35μm标准CMOS工艺条件下,设计出电源电压仅为1 V的套筒结构集成运算放大器(Tele-scopic OPA)。HSPICE仿真表明,与传统结构相比,新型结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低。
郝先人毛陆虹杨展陈铭义
关键词:低压低功耗CMOS
共1页<1>
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