蔡勇
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：香港科技大学更多>>
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- 新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文)被引量：2
- 2007年
- 设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间。当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%。当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值。据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果。
- 程知群蔡勇刘杰周玉刚刘稚美陈敬
- 关键词：压控振荡器
- 增强型和耗尽型AlGaN/GaN HFET的单片集成
- 公开一种利用增强型和耗尽型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)的单片集成的方法及器件。首先定义HFET的源极和漏极欧姆接触。然后定义耗尽型HFET的栅电极。然后采用样本的基于氟化物的等离子体处理和高温后栅极退...
- 陈敬蔡勇刘纪美
- 文献传递
