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蒋玉龙

作品数：49 被引量：41H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇微电子
  • 11篇肖特基
  • 11篇金属
  • 7篇势垒
  • 7篇退火
  • 7篇二极管
  • 6篇纳米
  • 6篇金属栅
  • 5篇淀积
  • 5篇热退火
  • 5篇自对准
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇快速热退火
  • 5篇NISI
  • 5篇衬底
  • 4篇电路
  • 4篇漏电流
  • 4篇晶体管
  • 4篇集成电路

机构

  • 49篇复旦大学
  • 2篇上海华力集成...

作者

  • 49篇蒋玉龙
  • 31篇茹国平
  • 29篇屈新萍
  • 26篇李炳宗
  • 11篇张卫
  • 10篇于浩
  • 5篇万景
  • 4篇王琳琳
  • 4篇谢琦
  • 3篇王井舟
  • 3篇王晓荣
  • 3篇包永霞
  • 2篇李惟一
  • 2篇阮刚
  • 2篇刘坚
  • 2篇王保民
  • 2篇罗佳
  • 2篇李龙
  • 2篇刘书一
  • 2篇梁萌

传媒

  • 1篇物理通报
  • 1篇光学仪器
  • 1篇中国教育信息...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 8篇2012
  • 11篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇1998
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSi<Sub>x</Sub>，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特...
蒋玉龙王琳琳彭雾
文献传递
利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离...
李龙蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗张卫
一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的...
陈韬屈新萍刘书一万景茹国平蒋玉龙
文献传递
固相反应NiSi及其与Si肖特基接触特性研究
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的制造工艺.NiSi是一种具有较低电阻率,较小耗硅量和较低形成温度的硅化物,因此NiSi...
蒋玉龙
关键词：NISI金属硅化物肖特基接触
文献传递
Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
本文在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区拉曼散射法和俄歇(AES)深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明...
蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
关键词：硅化物NISI固相反应
文献传递
制备可测量MOS电容器低频CV曲线的器件结构的方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，...
于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
文献传递
用于亚0.1um CMOS器件技术中的镍硅化物研究
蒋玉龙
关键词：镍硅化物固相反应集成电路工艺
一种利用界面氧化层制备NiSi/Si肖特基二极管的方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备NiSi/Si肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一...
蒋玉龙黄益飞茹国平屈新萍李炳宗
文献传递
一种工艺优化的金半接触结构的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为...
蒋玉龙于浩茹国平屈新萍李炳宗张卫
文献传递
Ta/TaN作为Cu和NiSi接触的阻挡层研究
研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度...
周觅赵莹黄巍王保民茹国平蒋玉龙李炳宗屈新萍
关键词：互联技术阻挡层性能评价
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