莫仲荣
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Mn,N共掺ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究
- ZnO作为一种重要的光电子材料，具有直接宽带隙(在300K，Eg为3.3eV)和高达60meV的激子束缚能，一直是人们的研究热点。近年来，自旋电子学研究逐渐兴起，ZnO因其优异的光电子性能而被寄希望于作为稀磁半导体的母体...
- 莫仲荣
- 关键词：反应磁控溅射室温铁磁性稀磁半导体薄膜
- 共沉淀法制备Co掺杂ZnO的室温铁磁性的研究被引量：10
- 2009年
- 利用共沉淀法并在5vol.%H2/Ar气流中于300℃退火3h,制备了Zn1-xCoxO稀磁半导体.扫描电子微探针分析表明,对Co的名义组分分别为0.05,0.10,0.15的样品,其实际组分分别为x=0.054,0.100和0.159.X射线衍射表明,主相为纤锌矿结构,x=0.100和0.159的样品中含有CoO杂相.X射线光电子谱显示出Co有3种状态:替代进入ZnO晶格、CoO和金属Co.通过磁性测量,发现所有样品都具有室温铁磁性,但是磁性是非本征的,一方面来自金属Co团簇的磁性,另一方面来自Zn掺杂CoO1-δ的弱磁性.
- 严国清谢凯旋莫仲荣路忠林邹文琴王申岳凤娟吴镝张凤鸣都有为
- 关键词：稀磁半导体ZNO共沉淀法
