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一种基于钛酸钡类陶瓷粉的微波复合介质基板的制备工艺: 本发明公开了一种基于钛酸钡类陶瓷粉的微波复合介质基板的制备工艺。该工艺流程为：将钛酸钡类陶瓷粉（如BaTi4O9、BaTi5O11、...; 庞子博徐永宽纪秀峰王丽婧张立欣宋永要程红娟

一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法: 本发明涉及一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法，表面改性，制备出改性陶瓷粉或改性玻璃纤维；将改性陶瓷粉50~80wt%、改性玻璃纤维2~10wt%和PTFE树脂15~45wt%充分混合；向混合物加入表面活性剂2~1...; 张立欣王丽婧纪秀峰张伟张海涛庞子博武聪贾倩倩金霞; 文献传递

空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究: 本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.; 刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥; 关键词：抗辐照加固; 文献传递

浆料黏度对涂覆工艺制备PTFE/SiO2薄膜性能影响被引量：3: 2020年; 采用涂覆工艺制备聚四氟乙烯(PTFE)/SiO2复合薄膜,通过调节缔合型增稠剂的用量调节浆料黏度,研究浆料黏度对PTFE/SiO2复合薄膜综合性能的影响。实验结果表明,随增稠剂用量的增大,浆料黏度从155 mPa·s提高至1223 mPa·s(测试转速6 r/min)。黏度越大,浆料稳定性越好。随浆料黏度的增大,PTFE/SiO2复合薄膜的厚度呈现减小趋势,由于表面微观缺陷先减少后增多,PTFE/SiO2复合薄膜的密度先增大后减小,拉伸强度和断裂伸长率均呈现先提升后降低的趋势。增稠剂的加入可促进薄膜的流平,减少成膜缺陷,然而在复合薄膜的烧结过程中,过多增稠剂分解挥发又将给薄膜带来缺陷。当增稠剂用量为0.7%时,浆料黏度为930 mPa·s(测试转速6 r/min),浆料稳定系数DC值为92%,制备PTFE/SiO2复合薄膜的平均厚度为50.5μm,薄膜密度最高为2.066 g/cm^3,拉伸强度和断裂伸长率分别最高达到5.12 MPa和49.1%。; 冯春明贾倩倩纪秀峰张立欣金霞; 关键词：涂覆工艺聚四氟乙烯黏度力学性能

砷化镓材料国内外现状及发展趋势: 1引言化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初,最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年,德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究,并指出它们具有Ge、Si等元素半导...; 纪秀峰; 文献传递

一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺: 本发明公开了一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面相同的、体积分数为20.0‑65.0%的低介电常数含有二氧化硅陶瓷粉的全氟树脂车削膜与体积分数为9.0‑70.0%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片、体...; 庞子博张伟高枢健纪秀峰魏西; 文献传递

4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题被引量：8: 1998年; 放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单晶中易出现的放肩“断棱”、等径过程中“掉苞”问题。; 裴志军纪秀峰刘峰; 关键词：半导体固液界面晶体生长硅

一种球型陶瓷粉体为填料的微波复合介质基板制备工艺: 本发明涉及一种球型陶瓷粉体为填料的微波复合介质基板制备工艺，包括改性工艺：将球型陶瓷粉体放入酸性或中性溶剂中充分搅拌水解1~10h、向溶液中加入1wt%~10wt%偶联剂的硅烷偶联剂继续搅拌1~5h、将混合物放入烘箱干燥...; 张立欣宋永要王丽婧徐永宽纪秀峰庞子博; 文献传递

蓝宝石晶体生长工艺及设备被引量：8: 2011年; 介绍了蓝宝石单晶的性质和应用领域,对泡生法、VHGF法等蓝宝石单晶生长工艺进行了说明,对蓝宝石单晶生长工艺及设备的国内外发展趋势进行了探讨。; 纪秀峰; 关键词：蓝宝石单晶

正交法优化PTFE复合基板层压工艺被引量：2: 2021年; 基于聚四氟乙烯(PTFE)树脂热分析结果,通过正交试验快速优化了玻璃纤维布增强PTFE复合基板(相对介电常数约为2.55)的层压工艺,提升了板材的综合性能。最优层压工艺条件为:升温速率3℃/min,最高温度段的温度375℃,压力5~6 MPa,保温时间3 h,降温速率1℃/min。该基板主要性能与2种进口覆铜板相当。; 庞子博纪秀峰张伟高枢健李强; 关键词：覆铜板正交试验层压

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纪秀峰