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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇中红外
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇红外
  • 1篇锑化物
  • 1篇锑化物激光器
  • 1篇氢氟酸
  • 1篇酒石
  • 1篇酒石酸
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇GASB

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 2篇田超群
  • 1篇曲轶
  • 1篇李辉
  • 1篇赵博
  • 1篇刘磊
  • 1篇魏冬寒
  • 1篇高婷

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究被引量:6
2013年
锑化物半导体激光器在中红外波段具有广泛的应用前景。针对目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题,对现有的GaSb基材料的湿法刻蚀工艺进行了改进,实验分别用氢氟酸系和磷酸系对GaSb材料进行湿法刻蚀,并在两种酸系溶液中分别加入酒石酸进行对比试验。实验分析表明,这两种腐蚀液对GaSb材料都有较好的刻蚀效果,腐蚀速率稳定,适当调整腐蚀液组分可以调控腐蚀速率,刻蚀后形貌良好,材料表面平整光滑。其中氢氟酸系加入酒石酸后随着溶液稀释比的增加,刻蚀速率下降先快后慢,最后几乎不变化;磷酸系加入酒石酸后通过调整体系组分可以减轻湿法刻蚀工艺中广泛存在的下切效应以及钻蚀现象。
田超群魏冬寒刘磊高婷赵博李辉曲轶
关键词:湿法刻蚀GASB氢氟酸酒石酸
中红外锑化物激光器工艺中刻蚀研究
本论文在简要的介绍了锑化物半导体激光器的发展现状后,分析并讨论了目前锑化物激光器的工艺制造中存在的问题。  首先,文章中针对四元系的化合物AlGaAsSb、InGaAsSb的晶格常数进行了计算与分析,并分别讨论了其晶格常...
田超群
关键词:湿法刻蚀刻蚀工艺干法刻蚀
文献传递
共1页<1>
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