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文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇存储器
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米管
  • 4篇电极
  • 4篇清液
  • 4篇墨水
  • 4篇半导体
  • 3篇低阻
  • 3篇印刷
  • 3篇晶体管
  • 3篇惰性电极
  • 3篇传感
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇电子器件
  • 2篇叠层
  • 2篇读取方法
  • 2篇旋涂
  • 2篇印刷工

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇王超
  • 7篇曾中明
  • 7篇崔铮
  • 7篇赵建文
  • 6篇张宝顺
  • 6篇杜刚
  • 5篇徐文亚
  • 5篇李涛
  • 4篇钱龙
  • 3篇潘革波
  • 2篇张建辉
  • 1篇方彬

年份

  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法及其应用
本发明公开了一种商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法及其应用。该分离方法包括:在温度≤0℃的条件下,将商业化大管径碳纳米管分散于含聚合物的有机溶液中,获得分散均一的碳纳米管溶液;以及,对碳纳米管溶液进行离心处...
赵建文王超钱龙徐文亚崔铮
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选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及应用
一种选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及其应用,该方法包括:取商业化单壁碳纳米管均匀分散于含表面活性剂的水中,形成碳纳米管分散液;而后在超声辅助下,向碳纳米管分散液中加入重氮盐,直至完全去除其中的金属性碳纳米管...
王超赵建文徐文亚崔铮
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互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当电化学金属化存储单元处于高阻态时,向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当电化学金属化存储单元处于高阻态时,向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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一种大面积印刷独立碳纳米管薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种大面积印刷独立碳纳米管薄膜晶体管的制备方法,包括步骤:(a)提供一基底;(b)应用印刷工艺在所述基底上制备栅电极阵列;(c)应用原子沉积工艺、旋涂工艺或者是印刷工艺在所述栅电极阵列上制备一介电层;(d1)...
赵建文徐文亚王超钱龙张建辉崔铮
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一种气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种气体传感器及其制备方法,通过以具有优良导电性且具有可满足气体传感器工作环境所需的热稳定性和化学稳定性的材料作为基板,使得不仅可在基板上通过喷涂、旋涂、丝网印刷、电化学沉积工艺和光电化学沉积工艺等工艺沉积高...
潘革波王超
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一种碳纳米管墨水的制备方法及晶体管器件的制作方法
本发明涉及纳米电子领域,尤其是一种碳纳米管墨水的制备方法及其应用。这种碳纳米管墨水的制备方法包括如下步骤:取碳纳米管、表面活性剂、添加剂及水按照质量比为0.00001~0.1∶0.02~5∶0.0001~2∶200,搅拌...
赵建文王超崔铮
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器,包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极,还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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低形成电压的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低形成电压的阻变存储器,包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层;还包括设置在电阻转变层和活性电极层之间的一含有缺陷的界面层。本发明还公开了上述低形成电压的阻变存储器的制备方法,包括步...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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一种碳纳米管墨水的制备方法及晶体管器件的制作方法
本发明涉及纳米电子领域,尤其是一种碳纳米管墨水的制备方法及其应用。这种碳纳米管墨水的制备方法包括如下步骤:取碳纳米管、表面活性剂、添加剂及水按照质量比为0.00001~0.1∶0.02~5∶0.0001~2∶200,搅拌...
赵建文王超崔铮
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