温景超
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>
- 硅三极管电子辐照的残余电压效应
- 2012年
- 研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。
- 巫晓燕田野石瑞英龚敏温景超王靳君
- 关键词：电子辐照
- 伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)被引量：3
- 2011年
- 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。
- 温景超石瑞英龚敏唐龙谷田野谭开州蒲林
- 关键词：异质结双极型晶体管集电极电流
- 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
- 2011年
- 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
- 王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕
- 关键词：NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照势垒电容
- 电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响被引量：1
- 2010年
- 研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。
- 田野石瑞英龚敏何志刚蔡娟露温景超
- 关键词：电子辐照
