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段生权

作品数：10 被引量：19H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇光刻
  • 8篇无显影气相光...
  • 5篇光刻胶
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅
  • 4篇刻蚀
  • 3篇氧化硅
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇成膜
  • 3篇成膜物
  • 3篇成膜物质
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇硅膜
  • 2篇二氧化硅膜
  • 2篇产酸
  • 1篇有机碱
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇凝胶法制备

机构

  • 10篇清华大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 10篇段生权
  • 8篇洪啸吟
  • 6篇王培清
  • 4篇卢建平
  • 3篇陈永麒
  • 3篇王小兵
  • 3篇张斌
  • 1篇刘丹
  • 1篇陈明
  • 1篇吴兵
  • 1篇李钟哲
  • 1篇武增华
  • 1篇陈明
  • 1篇刘丹

传媒

  • 1篇高分子通报
  • 1篇煤炭转化
  • 1篇高分子学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇化工进展

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1996
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
2002年
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。
洪啸吟李钟哲刘丹吴兵卢建平段生权陈明王培清
关键词：无显影气相光刻光刻胶二氧化硅氢氟酸分辨率
酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
文献传递
氮化硅及溶胶-凝胶二氧化硅膜的无显影气相光刻
该论文在以前研究的基础上,对无显影气相光刻用了进一步的应用研究,并且从化学角度对其中的现象和结果作出了合理的解释.无显影气相光刻刻蚀氮化硅的反应是亲核取代反应.三级胺与HF结合形成季铵盐得到自由的氟阴离子提高了气相HF亲...
段生权
关键词：无显影气相光刻氮化硅超强酸溶胶-凝胶法
无显影气相光刻机理研究
1998年
无显影气相光刻是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进HF气体在高温下离解得到活性氟阴离子是刻蚀反应得以发生的首要条件和关键；曝光后成膜物结构变化对添加在其中的小分子诱蚀剂的栅栏作用是在曝光区与非曝光区形成反差的条件；图形的高分辨率与高纵宽比也得到了合理的解释。在机理研究的过程中，新的无显影气相光刻的方法（如高分子诱蚀剂及超强酸作为诱蚀剂的方法）得以发展及研究。
段生权卢建平洪啸吟
关键词：干法腐蚀
氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究
1998年
ＨＦ与ＳｉＯ２的反应是一种亲核取代反应，但高温下此反应不能发生．当涂覆在ＳｉＯ２表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时，可以促进该反应的发生，这些化合物被称为诱蚀剂．诱蚀剂分三类：（１）三级胺与ＨＦ形成季铵盐得到浓度很高的氟阴离子使该反应很容易发生；（２）强的偶极非质子官能团化合物与ＨＦ中的氢形成氢键使氟的亲核活性增加，有助于该反应发生；（３）超强酸因其质子对ＳｉＯ２骨架中氧的牢固结合能力活化了反应的离去基团，对ＨＦ与ＳｉＯ２的亲核反应起到催化作用．聚合物膜对添加在其中的小分子诱蚀剂起到阻止逃逸的栅栏作用，而本身带有诱蚀官能团的聚合物可以同时充当成膜物及诱蚀剂的作用．通过光化学反应可以选择性地实现聚合物膜下ＨＦ与ＳｉＯ２的刻蚀反应．
洪啸吟段生权卢建平王培清
关键词：聚合物膜光刻氟化氢二氧化硅刻蚀
碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
文献传递
无显影气相光刻的机理研究
洪啸吟王培清卢建平李钟哲刘丹段生权肖继强
光刻是微电子和微机械及国防尖端等高新技术的核心技术。无显影气相光刻(DFVP)是近年我国发明的独树一帜的光刻技术，但它是由一个偶然的发现的现象而发展起来的，由于缺乏理论的指导，该技术的发展并没有预期的那么迅速，在学术上也...
关键词：
关键词：无显影气相光刻微细加工高分子化学光刻胶曝光量
酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的方法，无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为：成膜物质：增感剂：光敏产酸物：溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
文献传递
溶胶-凝胶法制备二氧化硅膜及其无显影气相光刻被引量：3
1999年
为使无显影气相光刻应用于非硅衬底材料的刻蚀，扩宽其应用范围，研究了无显影气相光刻在溶胶 凝胶法制备的二氧化硅膜中的应用。通过对溶胶 凝胶化学过程的分析，考察了凝胶二氧化硅薄膜制备过程中的几个重要工艺参数，制备了结构均匀的二氧化硅薄膜。并将无显影气相光刻的方法应用于这种二氧化硅膜的刻蚀，通过优化后的光刻工艺参数得到了反差明显的光刻图形。
洪啸吟段生权陈明张斌王培清
关键词：溶胶-凝胶法二氧化硅无显影气相光刻光刻
化学添加剂对燃煤的降低燃点和促燃环保作用被引量：16
1996年
本文研究了不同种类的化学添加剂对煤的降低着火温度和促燃环保作用；介绍了应用微机采样法，快速准确地测定煤的着火温度的装置和方法。
武增华段生权
关键词：煤燃点助剂燃烧
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