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楼海君

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 5篇介质层
  • 5篇沟道
  • 4篇结型
  • 4篇结型场效应
  • 4篇结型场效应晶...
  • 3篇源区
  • 3篇载流子
  • 3篇势垒
  • 3篇工艺波动
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇亚阈值
  • 2篇亚阈值特性
  • 2篇体硅
  • 2篇接触面积

机构

  • 11篇北京大学
  • 1篇深港产学研基...

作者

  • 11篇楼海君
  • 9篇林信南
  • 4篇何进
  • 2篇李冰华
  • 2篇李丹
  • 1篇魏益群
  • 1篇胡晓程

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
隧穿场效应晶体管
本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的...
楼海君林信南李丹何进
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一种无结型场效应晶体管
一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层...
万文波楼海君肖颖林信南
隧穿场效应晶体管
本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的...
楼海君林信南李丹何进
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一种无结场效应晶体管
本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相...
楼海君林信南李冰华何进
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一种无结型场效应晶体管
一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层...
万文波楼海君肖颖林信南
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无结纳米线场效应晶体管
本发明公开了一种无结纳米线场效应晶体管，包括沟道、源区和漏区，所述源区设置在沟道的一端，所述漏区设置在沟道的另一端，所述沟道的外表面覆盖有栅氧化层，所述栅氧化层的表面覆盖有栅电极层，所述栅电极层包括接近源区的第一栅电极层...
楼海君林信南何进
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纳米无结多栅场效应晶体管性能研究
多栅结构因其优良的短沟道效应抑制能力成为工业用主流器件，但器件尺寸的继续缩小，导致突变结的形成受工艺和物理的双重限制。而源漏区和沟道掺杂一致的无结多栅器件保持了卓越的栅控能力，克服了突变结形成和掺杂控制的困难，有望成为下...
楼海君
关键词：工艺波动性能评价格林函数
一种多值相变存储器单元
本发明公开了一种多值相变存储器单元，包括相变材料层、加热电极、顶电极、底电极和隔热材料层，相变材料层包括第一相变材料层和第二相变材料层，加热电极包括第一加热电极和第二加热电极；顶电极位于第一加热电极的顶部，第一加热电极的...
胡晓程魏益群楼海君林信南
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一种无结型场效应晶体管及其制造方法
一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和...
刘凯楼海君林信南
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一种无结场效应晶体管
本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相...
楼海君林信南李冰华何进
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