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杨生胜: 作品数：384 被引量：366H指数：9; 供职机构：兰州空间技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金真空低温技术与物理国家级重点实验室基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>; 相关领域：航空宇航科学技术理学电子电信一般工业技术更多>>

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电子辐照介质表面电荷分布测量研究被引量：5: 2013年; 在轨航天器与空间等离子体相互作用,可引起静电荷在卫星表面积累,产生静电放电,影响航天器的安全运行。基于静电电容原理,设计了表面电荷测量装置,并针对航天器常用的表面介质材料,利用建立的表面电荷测量装置,开展电子束辐照下表面电荷分布测量研究。研究结果可为表面带电效应的深入研究提供手段和参考。; 汤道坦李得天柳青李存惠秦晓刚杨生胜陈益峰; 关键词：空间等离子体表面带电表面电荷测量

真空环境下胶黏剂出气污染物平均解析化学能的确定方法: 本发明公开了一种真空环境下胶黏剂出气污染物平均解析化学能的确定方法，该方法根据扩散理论以及吸附动力学微分方程，建立胶黏剂出气污染物在低温敏感表面的沉积模型；采用出气设备针对相同的胶黏剂样品材料进行出气试验，获得不同出气单...; 乔佳郭兴薛玉雄杨生胜庄建宏黄一凡石红张剑锋

一种航天器在轨表面带电效应控制方法: 本发明公开了一种航天器在轨表面带电效应控制方法，首先基于电子通量与航天器表面电位关系，以及等离子温度与航天器表面电位关系，根据航天器表面能承受的电位阈值，获得通量阈值与温度阈值，在实时控制中，通过实时监测电子通量和电子温...; 秦晓刚李得天杨生胜蒋锴全林史亮薛玉雄王小军王斌汤道坦; 文献传递

低轨道太阳电池势垒效应及其对卫星绝对带电影响被引量：1: 2017年; 针对太阳电池正偏置工作电压和玻璃盖片表面负电位产生的势垒及其对低轨道航天器绝对带电的影响。本文首先基于轴对称模型结构分析了电池间隙裸露导体尺寸对太阳电池势垒效应的影响。研究结果表明,太阳电池势垒效应随着电池裸露导体尺寸增大而减弱。并且利用航天器与等离子体相互作用分析软件,通过PIC(Particle In Cell)方法研究了低轨道等离子体环境下太阳电池间隙裸露导体尺寸和工作电压对航天器悬浮电位的影响,并将仿真分析结果与无限大平板电流收集模型计算结果进行了对比分析,对比悬浮电位仿真分析与模型计算结果表明,太阳电池产生的势垒效应阻碍了航天器对电子电流的收集。; 汤道坦杨生胜李得天秦晓刚薛玉雄陈益峰王俊史亮; 关键词：势垒太阳电池

空间站高压太阳电池阵静电放电特性研究: 我国空间站采用了高压太阳电池阵,其母线电压为100V。由于空间站运行于低地球轨道,在轨道低温稠密等离子体环境下高压太阳电池阵将经历复杂的静电放电过程,并诱发二次放电,导致空间站功率损失甚至能源丧失。本文针对空间站高压太阳...; 陈益峰杨生胜柳青秦晓刚汤道坦史亮赵呈选蒋锴王俊李得天; 关键词：空间站; 文献传递

太阳电池阵静电放电脉冲电流及其辐射信号特性的研究: 研究太阳电池阵静电放电的时域和频域特征,为掌握太阳电池阵充放电形成机制提供依据。静电放电地面模拟试验在SCF-900航天器带电地面综合模拟试验装置中完成,通过电子辐照方法进行太阳电池阵静电放电试验。试验中将太阳电池阵结构...; 李存惠柳青杨生胜苗育君郑阔海秦晓刚; 关键词：太阳电池阵静电放电放电电流辐射场; 文献传递

CMOS APS光电器件单粒子效应电荷收集特性仿真分析被引量：5: 2017年; 卫星在轨飞行期间,星载电子器件将不可避免地遭受空间带电粒子的辐射,随着半导体技术的不断进步,电子器件的单粒子效应敏感性越来越高,已经成为一个影响其可靠性的重要因素。互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOS APS)光电器件因其低功耗、小体积和微重量的优点已成为遥感卫星成像的重要发展方向。为获取CMOS APS光电器件在遭受带电粒子辐射后性能变化的特征,在分析SOI MOSFET(Silicon on Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)结构和特性的基础上,通过理论分析和数值模拟,分析了重离子在CMOS APS光电器件中引起的辐射损伤,分析晶体管和光电二极管的电荷收集机理。通过TCAD(Technology Computer Aided Design)模拟了电荷收集过程,分析了影响漏电流变化的直接因素,获得了重离子LET(Linear Energy Transition)值、入射位置以及器件偏置电压与漏电流的相互关系,为后续CMOS APS的重离子模拟试验以及抗辐射加固设计提供了理论支撑。; 安恒杨生胜苗育君薛玉雄曹洲王俊张晨光; 关键词：互补金属氧化物半导体单粒子效应电荷收集

用于空间激光通信的InGaAsP激光二极管辐射损伤研究(英文)被引量：2: 2015年; 对1.55μm波长DFB结构的In Ga As P多量子阱激光二极管开展电子和60Co-γ射线辐照试验。试验结果表明,激光二极管的斜度效率主要受带电粒子沉积的电离总剂量影响,而阈值电流和光功率主要受位移损伤剂量的影响。利用位移损伤剂量方法评价激光二极管的辐射损伤特征,并且预测其在空间辐射环境中的光功率衰退情况。模拟计算结果表明,MEO轨道辐射环境对激光二极管光功率辐射损伤远大于GEO轨道的影响,这主要是由于MEO轨道辐射环境的高能电子通量密度远大于GEO轨道的通量密度。; 高欣杨生胜冯展祖曹洲马亚丽; 关键词：光电器件

一种PIC与充电电流拟合相结合的卫星表面充电电位计算方法: 本申请公开了一种PIC与充电电流拟合相结合的卫星表面充电电位计算方法。该计算方法通过PIC分析空间等离子体特性、拟合一定时间内卫星表面充电电流、计算卫星表面电位三个步骤；它以PIC等离子体模拟为基础，针对PIC计算卫星表...; 汤道坦秦晓刚杨生胜柳青王鹢史亮张竞

星用高压电缆内带电效应模拟试验被引量：1: 2013年; 测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下,星用高压电缆的静电放电信号。同时,利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置,并利用有限元法分析了高工作电压下,高压电缆的内部电场分布及变化。; 王俊李得天杨生胜秦晓刚陈益峰史亮汤道坦冯展祖柳青赵呈选; 关键词：静电放电蒙特卡罗方法有限元法