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李路

作品数：28 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 9篇氧化层
  • 7篇元胞
  • 6篇导通
  • 6篇调光
  • 6篇调光功能
  • 6篇扩散
  • 5篇导通角
  • 5篇恒流
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇漂移区
  • 4篇终端区
  • 4篇接触区
  • 4篇结终端
  • 4篇击穿电压
  • 4篇功率
  • 4篇功率因素
  • 4篇N型
  • 3篇阳极
  • 3篇源区

机构

  • 28篇电子科技大学
  • 2篇宜宾学院

作者

  • 28篇李路
  • 23篇乔明
  • 22篇张波
  • 14篇方冬
  • 13篇于亮亮
  • 6篇宋旭
  • 4篇杨文
  • 3篇李成州
  • 2篇肖尚辉

传媒

  • 1篇电讯技术
  • 1篇电信科学
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 7篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李路于亮亮方冬杨文张波
文献传递
一种带调光功能的LED恒流驱动电路
一种带调光功能的LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变...
乔明李路梁龙飞宋旭朱旭晗于亮亮张波
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0.4-18GHZ超宽带接收机测试系统的设计与实现
随着计算机软件、数字通信、互联网和信息处理等技术的不断进步，出现了将测试技术、计算机技术和通信技术融合的发展趋势。随着技术融合的不断升级，测试行业进入了一个全新的阶段，测试技术呈现出了软件化、标准化和网络化三大发展趋势。...
李路
关键词：超宽带接收机自动化测试远程网络数据处理
一种带调光功能的LED驱动电路
一种带调光功能的LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，...
乔明李路梁龙飞朱旭晗宋旭于亮亮张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明于亮亮李路方冬杨文张波
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三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用P型掺杂衬底、阳极、N型掺杂外延层，恒流器件结...
乔明方冬于亮亮李成州李路张波
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三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极，恒流器件...
乔明方冬于亮亮李成州李路张波
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恒流器件及其制造方法
本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括元胞区和终端区两个部分，元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型外延层、扩散P型阱区，终端区包括位于槽侧壁及底部的第二氧化层、用于填充槽内间隙的介质、...
乔明肖家木赖春兰李路方冬张波
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恒流器件及其制造方法
本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型外延层、扩散P型阱区，还包括N型掺杂外延层中的介质深槽、P型掺杂区、N型耗尽型沟道区，介质深槽以及位于介质深槽底部和侧壁...
乔明赖春兰肖家木李路方冬张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明于亮亮李路方冬杨文张波
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