李聪明
- 作品数:5 被引量:14H指数:2
- 供职机构:中国地质大学材料与化学学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
- SrSi_2O_2N_2:Eu^(2+)荧光粉的制备及性能研究被引量:6
- 2012年
- 以SrCO3,Si3N4,Eu2O3为原料,在N2气氛下,采用自还原高温固相法制备了SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉。研究了该荧光粉的物相结构、发光性能和晶体形貌,同时对比在不同气氛下合成的荧光粉。结果表明,在N2气氛与N2/H2气氛下分别合成的SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉物相结构和光谱特性基本一致。显示出合成了主晶相SrSi2O2N2,但还含有少量未知的中间项。Eu2+浓度的变化不影响激发状态,而发射光谱的波长在Eu2+浓度为1mol%-20mol%之间,从530 nm的绿光红移至550 nm的黄绿光区域。同时,激发光谱覆盖的范围宽,均能有效的被UV或蓝光激发,这意味着该类荧光粉在白光LED方面有可能得到广泛的应用。
- 孟小康谭劲雷婷张玮鄢维李聪明孙夏微
- 关键词:荧光粉发光性能白光LED
- 含硼助熔剂对YAG∶Ce荧光粉晶相、形貌及发光性能的影响被引量:1
- 2013年
- 采用高温固相法分别以H3BO3和Na2B4O7作为助熔剂合成了Ce离子掺杂的Y3Al5O12(YAG∶Ce)黄色荧光材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计(PL)对合成出的YAG∶Ce样品进行了表征,在此基础上研究了H3BO3和Na2B4O7助熔剂浓度对YAG∶Ce的晶相、微观形貌及光学性能的影响。结果表明,随着H3BO3的增加,发光强度先增大后降低,并且当H3BO3用量为1.5wt%时,发光强度达到最大,同时颗粒分散性最好;然而当增加Na2B4O7用量时,发光强度先增强再降低,晶体发育程度及颗粒分散性先改善再恶化,当用量为6.0wt%时,发光强度最大,颗粒分散性最优。此外,含硼助熔剂由于B离子的引入,有效地提高了YAG晶体对发光中心Ce离子的容纳量。H3BO3和Na2B4O7使Ce离子猝灭浓度分别提高到了0.15和0.10。
- 李聪明谭劲郑水林马米孙夏微
- 关键词:荧光粉助熔剂
- 荧光粉Y_3Mg_2AlSi_2O_(12)∶Ce^(3+)的合成及光谱性能研究被引量:2
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法合成了Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+荧光粉。用X射线粉晶衍射(XRD)仪对其进行了物相分析,用电子扫描电镜(SEM)观察了该荧光粉的形貌,同时测定了激发光谱及发射光谱。结果表明,Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+的晶体结构与Y3Al5O12(钇铝石榴石)一致,形貌也表现出等轴粒状的特点。发射谱为峰值位于580 nm处的宽带发射,是Ce3+的4f65d1-4f7特征跃迁发射。激发谱表现为340 nm和468 nm的双峰带,可以被蓝光有效的激发。Ce3+的浓度对发光强度有明显的影响,当Ce3+的摩尔分数为0.06时,发光强度最大。最后考察了成分取代而导致的Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+的物相转变和对发光性能的影响。
- 雷婷谭劲孟小康张玮李聪明焉维孙夏微
- 关键词:硅酸盐溶胶-凝胶法荧光粉
- Sb,Bi,Zr,Si元素微量掺杂对荧光粉YAG:Ce发光性能的影响被引量:5
- 2013年
- 采用高温固相法分别合成了Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+共掺杂的YAG∶Ce黄色荧光粉。研究了YAG∶Ce黄色荧光粉的发光强度随元素种类以及微量掺杂浓度的变化情况及相关机理。结果显示,随着元素Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+掺杂浓度的增加,发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势。Sb3+,Bi3+与Ce3+之间存在多极子相互作用和辐射再吸收的能量传递及晶格修复作用,当Sb3+,Bi3+掺杂浓度分别为0.5和0.1 mmol时发射峰强度达到最大值,分别提高了35.5%和44.8%。在YAG∶Ce中由于Zr4+,Si4+的电荷补偿作用,促进Ce4+→Ce3+的转化,从而提高了YAG∶Ce的发光强度。Zr4+,Si4+掺杂浓度分别在0.3和7 mmol时达到最大值,分别提高了27.4%和31.2%。由荧光粉颗粒形貌可知,Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+元素的微量掺杂能促使晶粒长大,并且近似球型,导致发光强度有明显的提高。
- 孙夏微谭劲李聪明雷婷孟小康鄢维张玮冯珊
- 关键词:YAG荧光粉共掺杂
- 金刚石芯LED中衬底及外延材料的研究进展
- 2012年
- 金刚石作为自然界中热导性最好的材料,在半导体行业的应用越来越广泛。随着LED行业的不断发展,金刚石芯LED也崭露头角。综述了自20世纪50年代以来,金刚石材料作为衬底和外延材料在半导体光电子领域的研究进展。主要从两个方面展开论述:金刚石作为衬底外延GaN的研究进展;以及金刚石本身作为外延材料制备成p-n结、p-i-n结、异质结等半导体器件的研究进展。这些研究充分体现了金刚石材料应用在LED产品中的可行性和优越性,以及应用在大功率LED芯片中的巨大潜力。
- 张玮谭劲鄢维雷婷孟小康孙夏微李聪明
- 关键词:金刚石发光二极管衬底