曲爽
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED
- 2008年
- 利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AlN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量子阱区完全应变的外延在GaN层上,而AlN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。
- 朱学亮曲爽刘存志李树强夏伟沈燕任忠祥徐现刚
- 关键词：碳化硅氮化镓光电二极管
- 湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究被引量：7
- 2010年
- 利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加。管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加。
- 邵慧慧李树强曲爽李毓锋王成新徐现刚
- 关键词：湿法腐蚀蓝宝石图形衬底GAN外延层
- AIN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响
- 利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较弱。
- 朱学亮 吴德华 李树强 曲爽徐现刚
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