徐刚毅
- 作品数：6 被引量：45H指数：3
- 供职机构：兰州大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- NiAl合金原子间互作用势的拟合及点缺陷的计算被引量：2
- 1996年
- 采用F-S多体势形式,拟合了B_2型有序金属间化合物高温合金NiAl的势参数.并利用Rose等提出的经验P-V关系,对势函数进行了进一步修正.作为对势函数的验证和应用,运用分子动力学方法,计算了NiAl合金中点缺陷的性质.
- 顾强王月霞王宝义徐刚毅王天民
- 关键词：点缺陷NIAL合金
- 纳米硅薄膜的拉曼谱研究被引量：8
- 2000年
- 通过等离子增强化学汽相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si∶ H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X-射线衍射和透射电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺雨减小或掺杂浓度增加 ,拉曼谱中 TA,LA振动模的相对散射强度增加 .
- 徐刚毅王天民王金良
- 关键词：纳米硅薄膜拉曼谱半导体材料
- 纳米硅薄膜的Raman光谱被引量：19
- 2000年
- 通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 .
- 徐刚毅王天民李国华王金良何宇亮马智训郑国珍
- 关键词：纳米硅薄膜喇曼谱
- 纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性被引量：3
- 2001年
- 利用高真空 PECVD系统在 p型单晶硅上沉积掺磷 n型纳米硅薄层 (nc-Si:H)，形成纳米硅 /单晶硅 Np异质结二极管 ,通过 C-V和 J-V测试研究了二极管的电学性质。 C-V特性指出该异质结为突变型。 J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（ <0.8V）二极管电流由耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（ >1.0V）时电输运符合电荷限制电流（ SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
- 徐刚毅王天民王金良
- 关键词：异质结二极管电学特性
- 纳米硅薄膜的低温电输运机制被引量：12
- 2000年
- 在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K)具有单一的激活能W ,并与kBT值大小相当 (W～ 1— 3kBT) ,呈现出Hopping电导的特征 .对HQD模型做了修正 ,认为纳米硅同时存在两种输运机制 :热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hopping电导 .高温时 (T >2 0 0K)以电子隧穿为主 ,低温时 (T <10 0K)则以Hopping电导为主 .在此基础上给出了纳米硅完整的电导解析表达式 ,该表达式能很好地解释在 5 0 0— 2 0K的温度范围 ,本征和不同掺磷浓度纳米硅薄膜的电导率 .
- 徐刚毅王天民何宇亮马智训郑国珍
- 关键词：电输运
- 纳米硅薄膜及相关器件的研究
- 纳米硅薄膜(nc-Si:H)是一个由纲纳米尺度的Si晶粒和晶粒之间的Si:H无序网络组成的两相混合体系.它的结构和物性既与其它硅材料有密切的联系,又显示出一系列低维半导体的特性.该文着重研究了nc-Si:H薄膜及其相关器...
- 徐刚毅
- 关键词：纳米硅薄膜电学性能
- 文献传递
