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彭大青

作品数：47 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程

主题

  • 22篇氮化
  • 17篇迁移率
  • 16篇氮化镓
  • 14篇氮化物
  • 14篇电子迁移率
  • 14篇高电子迁移率
  • 13篇化物
  • 11篇二维电子
  • 11篇二维电子气
  • 11篇成核
  • 10篇金属有机物
  • 9篇单晶
  • 9篇异质结
  • 8篇单晶薄膜
  • 8篇氮化铝
  • 8篇晶体管
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇势垒
  • 7篇输运
  • 7篇金属有机物化...

机构

  • 47篇中国电子科技...

作者

  • 47篇彭大青
  • 44篇李忠辉
  • 29篇李传皓
  • 16篇张东国
  • 11篇杨乾坤
  • 8篇董逊
  • 8篇李亮
  • 4篇倪金玉
  • 3篇罗伟科
  • 2篇章咏梅
  • 2篇许晓军
  • 1篇吴维丽
  • 1篇高汉超
  • 1篇李赟
  • 1篇曹越

年份

  • 7篇2024
  • 7篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低应力高质量氮化物材料外延方法
本发明提供一种低应力高质量氮化物材料外延生长方法，步骤包括S1.采用MOCVD设备，选择单晶衬底，清除衬底污染物；S2.通入金属有机源，生长成核层；S3.关闭金属有机源，通入三甲基镓，生长第一层GaN缓冲层；S4.原位刻...
杨乾坤李忠辉彭大青李传皓张东国徐轩
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一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法
本发明公开一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法，基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等材料外延生长方式，通过在单晶衬底表面生长氮化铝过渡层，提升衬底表面催化活性，降低后续氮化硼二维材料成核所需的活化能；引入氮...
李传皓李忠辉彭大青
一种氮化硼范德华外延大尺寸氮化镓微波材料及生长方法
本发明公开了一种氮化硼范德华外延大尺寸氮化镓微波材料及生长方法，基于MOCVD等材料生长方式，在衬底表面生长氮化硼二维材料；引入低温氮化铝成核层，实现氮化铝在氮化硼二维材料表面的均匀形核，为后续材料生长提供高密度的成核格...
李传皓李忠辉彭大青
一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管
本发明公开了一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，沿外延生长方向自下而上分别为：单晶衬底；GaN缓冲层；GaN掺杂层；第一Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N势垒层；第二Al<S...
李传皓李忠辉彭大青
一种氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法
本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其生长方法，包括衬底层，该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、势垒层和沟道层，其中：所述衬底层为蓝宝石、或SiC；所述成核层为AlN、GaN或AlGaN；所述缓冲层...
彭大青李忠辉
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一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管
本发明公开了一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，沿外延生长方向自下而上分别为：单晶衬底；GaN缓冲层；GaN掺杂层；第一Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N势垒层；第二Al<S...
李传皓李忠辉彭大青
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一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法
本发明涉及一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法，外延材料的生长采用金属有机物化学气相淀积等气相外延生长方法，氮化镓外延片自下而上依次包括衬底、下层氮化铝成核层、上层氮化铝成核层氮化铝成核层、氮化镓层过...
李忠辉彭大青李传皓
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一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法
本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al...
李忠辉彭大青张东国
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一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法
本发明公开了一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)材料生长技术，通过对氮化铝成核层采用铝源和氨源的分时输运及载气转换工艺、第一氮化镓缓冲层采用高压和第二氮化镓缓冲层采用...
李传皓李忠辉彭大青
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一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法
本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生...
李传皓李忠辉彭大青
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