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张志伟

作品数:62 被引量:43H指数:4
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 49篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 21篇探测器
  • 19篇光电
  • 12篇半导体
  • 10篇红外
  • 8篇氮化物
  • 8篇光电子
  • 8篇红外探测
  • 8篇红外探测器
  • 8篇盖层
  • 7篇日盲
  • 7篇日盲紫外
  • 7篇光电探测
  • 6篇氮化物半导体
  • 6篇晶体管
  • 6篇光电探测器
  • 6篇光电子材料
  • 6篇半导体材料
  • 5篇导体
  • 5篇电致发光
  • 5篇有机电致发光

机构

  • 62篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 62篇张志伟
  • 44篇蒋红
  • 44篇宋航
  • 44篇陈一仁
  • 43篇缪国庆
  • 40篇李志明
  • 28篇黎大兵
  • 28篇孙晓娟
  • 10篇荆海
  • 6篇付国柱
  • 6篇邵喜斌
  • 6篇廖燕平
  • 4篇曾玉刚
  • 3篇刘金娥
  • 3篇黄金英
  • 2篇邝俊峰
  • 2篇马凯
  • 2篇凌志华
  • 2篇于涛
  • 2篇仲崇亮

传媒

  • 4篇液晶与显示
  • 4篇第13届全国...
  • 2篇发光学报
  • 1篇长春理工大学...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2008
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
扩展波长InGaAs红外探测器性能模拟研究
短波红外1.0-2.6μ m探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.现有InGaAs红外探测器的探测范围窄,为了扩展InGaAs红外探测器的探测范围,需要设计一种新型的宽探测波段探测器结构.本研究采用n型...
张志伟缪国庆
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一种提高a-Si-TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法
本发明属于显示技术领域,是一种提高a-Si-TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法。本发明改变了传送的列数据信号时序,将原来的某象素数据时序通过开关管1TFT传送到驱动管2TFT的栅极上,驱动管2TFT上的栅信号波形能...
张志伟廖燕平邵喜斌付国柱荆海刘少林
文献传递
日盲紫外光电探测器及其制备方法
本发明提供一种日盲紫外光电探测器及其制备方法,日盲紫外光电探测器包括从下至上依次设置的基底、缓冲层、多周期薄膜层、金属叉指电极;多周期薄膜层至少为双层结构,多周期薄膜层的各层由GaN、Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
陈一仁张志伟周星宇孙晓娟黎大兵缪国庆蒋红宋航
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PBN型InGaAs红外探测器
本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器,属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题,进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器,由从上至下依次排列的窗口...
张志伟缪国庆宋航蒋红李志明黎大兵孙晓娟陈一仁
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TFT-OLED驱动电路的研究被引量:17
2004年
从OLED的发光原理出发,介绍了OLED器件的结构特点和常用的TFT OLED像素电路的结构。利用TFT OLED行列驱动芯片和控制芯片,通过MCS 51单片机的控制来驱动240×320×3点阵的TFT OLED屏,实现大信息量的图形显示。该设计方案所需外围器件少,硬件结构简单,有利于提高系统的运行效率。介绍了驱动模块的功能和硬件接口电路的设计方法,并给出了单片机的软件流程图。
张志伟荆海邝俊峰蔡克炬郜峰利朱长春
关键词:TFT-OLED像素电路有源驱动单片机控制
一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法
本发明公开了一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法,克服了现有短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器技术中依赖于深度刻蚀和电极爬坡等复杂工艺和低成品率的问题。该探测器包括:去除衬底后自上而下依次设置的平面结构...
陈一仁张志伟宋航蒋红缪国庆
一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法
本发明提供了一种导电氧化物等离激元纳米光学天线的制备方法,其特征在于,包括:对异质外延的半导体材料进行表面处理;将表面处理后的异质外延的半导体材料与混合物水溶液混合,反应,螺位错诱导自组装生长得到AZO纳米柱;所述混合物...
陈一仁张志伟宋航缪国庆蒋红李志明
一种场致电子束泵浦紫外光源
本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;...
陈一仁宋航张志伟缪国庆蒋红李志明孙晓娟黎大兵
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单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器,由下至上依次包括AlN模板、AlGaN/AlN超晶格层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、导电氧化物纳米天线及金属叉指电极;所述金属叉指电极包括交叉设置的第一叉指...
陈一仁宋航张志伟蒋红缪国庆李志明
文献传递
一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法
本发明公开了一种AlGaN基紫外探测器,从衬底向外依次包括AlN模板、AlGaN/AlN超晶格、第一N型AlGaN层、本征AlGaN层、P型AlGaN层及电极,所述AlGaN基紫外探测器包括第二N型AlGaN层;述第二N...
张志伟宋航陈一仁缪国庆蒋红李志明
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