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张志伟
作品数:
62
被引量:43
H指数:4
供职机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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陈一仁
中国科学院长春光学精密机械与物...
宋航
中国科学院长春光学精密机械与物...
蒋红
中国科学院长春光学精密机械与物...
缪国庆
中国科学院长春光学精密机械与物...
李志明
中国科学院长春光学精密机械与物...
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1篇
2004
2篇
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扩展波长InGaAs红外探测器性能模拟研究
短波红外1.0-2.6μ m探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.现有InGaAs红外探测器的探测范围窄,为了扩展InGaAs红外探测器的探测范围,需要设计一种新型的宽探测波段探测器结构.本研究采用n型...
张志伟
缪国庆
文献传递
一种提高a-Si-TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法
本发明属于显示技术领域,是一种提高a-Si-TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法。本发明改变了传送的列数据信号时序,将原来的某象素数据时序通过开关管1TFT传送到驱动管2TFT的栅极上,驱动管2TFT上的栅信号波形能...
张志伟
廖燕平
邵喜斌
付国柱
荆海
刘少林
文献传递
日盲紫外光电探测器及其制备方法
本发明提供一种日盲紫外光电探测器及其制备方法,日盲紫外光电探测器包括从下至上依次设置的基底、缓冲层、多周期薄膜层、金属叉指电极;多周期薄膜层至少为双层结构,多周期薄膜层的各层由GaN、Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
陈一仁
张志伟
周星宇
孙晓娟
黎大兵
缪国庆
蒋红
宋航
文献传递
PBN型InGaAs红外探测器
本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器,属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题,进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器,由从上至下依次排列的窗口...
张志伟
缪国庆
宋航
蒋红
李志明
黎大兵
孙晓娟
陈一仁
文献传递
TFT-OLED驱动电路的研究
被引量:17
2004年
从OLED的发光原理出发,介绍了OLED器件的结构特点和常用的TFT OLED像素电路的结构。利用TFT OLED行列驱动芯片和控制芯片,通过MCS 51单片机的控制来驱动240×320×3点阵的TFT OLED屏,实现大信息量的图形显示。该设计方案所需外围器件少,硬件结构简单,有利于提高系统的运行效率。介绍了驱动模块的功能和硬件接口电路的设计方法,并给出了单片机的软件流程图。
张志伟
荆海
邝俊峰
蔡克炬
郜峰利
朱长春
关键词:
TFT-OLED
像素电路
有源驱动
单片机控制
一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法
本发明公开了一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法,克服了现有短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器技术中依赖于深度刻蚀和电极爬坡等复杂工艺和低成品率的问题。该探测器包括:去除衬底后自上而下依次设置的平面结构...
陈一仁
张志伟
宋航
蒋红
缪国庆
一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法
本发明提供了一种导电氧化物等离激元纳米光学天线的制备方法,其特征在于,包括:对异质外延的半导体材料进行表面处理;将表面处理后的异质外延的半导体材料与混合物水溶液混合,反应,螺位错诱导自组装生长得到AZO纳米柱;所述混合物...
陈一仁
张志伟
宋航
缪国庆
蒋红
李志明
一种场致电子束泵浦紫外光源
本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;...
陈一仁
宋航
张志伟
缪国庆
蒋红
李志明
孙晓娟
黎大兵
文献传递
单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器,由下至上依次包括AlN模板、AlGaN/AlN超晶格层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、导电氧化物纳米天线及金属叉指电极;所述金属叉指电极包括交叉设置的第一叉指...
陈一仁
宋航
张志伟
蒋红
缪国庆
李志明
文献传递
一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法
本发明公开了一种AlGaN基紫外探测器,从衬底向外依次包括AlN模板、AlGaN/AlN超晶格、第一N型AlGaN层、本征AlGaN层、P型AlGaN层及电极,所述AlGaN基紫外探测器包括第二N型AlGaN层;述第二N...
张志伟
宋航
陈一仁
缪国庆
蒋红
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