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张建

作品数:6 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院固体物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学电气工程金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇电池
  • 2篇电阻率
  • 2篇钠硫电池
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇放电
  • 2篇充放电
  • 2篇充放电循环
  • 1篇单体电池
  • 1篇电性质
  • 1篇循环特性
  • 1篇真空
  • 1篇真空热压
  • 1篇热导率
  • 1篇热电
  • 1篇热电材料
  • 1篇热电性质
  • 1篇热压
  • 1篇力学性能
  • 1篇块体

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇安徽省产品质...

作者

  • 5篇张建
  • 4篇辛红星
  • 4篇宋春军
  • 4篇秦晓英
  • 2篇朱晓光
  • 2篇王玲
  • 1篇王莉
  • 1篇李地
  • 1篇陈晓红
  • 1篇张宽心

传媒

  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇电源技术
  • 1篇能源工程
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
钠硫单体电池的循环特性测试研究被引量:4
2011年
以研制的钠硫单体实验电池(型号为NS-1)为研究对象,通过约30次的充放电循环,并改变设定放电截止电压等条件研究了放电深度以及循环次数对放电电压的影响。研究表明,该型号钠硫电池有一个放电平台,对应放电深度约为60%。
陈晓红张建辛红星宋春军王玲
关键词:钠硫电池充放电循环
钠硫电池单体的循环测试研究被引量:3
2011年
以钠硫单体实验电池(型号为NS-2)为研究对象,通过60个充放电循环,研究了循环次数和放电深度对输出电压的影响。结果表明,NS-2型钠硫电池在20Ah以内有一个较好的放点平台。根据输出电压对循环次数曲线的拟合公式推算,NS-2型钠硫电池可达到1250次循环。
张建辛红星宋春军王玲秦晓英
关键词:钠硫电池储能充放电循环
纳米晶Mg_2Si块体的制备及力学性能
2008年
采用机械激活固相反应及真空热压方法制备纳米晶Mg_2Si金属间化合物块体材料。研究表明,过量Mg配量对获得纯相Mg_2Si至关重要。在1.5GPa压力于450℃热压得到的纯相Mg_2Si纳米块体(相对密度D~98%,晶粒度d~54nm)断裂韧性达1.67MPa·m^(1/2),较常规粗晶Mg_2Si有明显提高。
王莉秦晓英朱晓光张建
关键词:MG2SI纳米晶真空热压
不同元素替代掺杂化合物M_(0.04)Ti_(0.96)S_2(M=Ni,Al,Mg)的热电性质(英文)被引量:1
2010年
层状结构TiS2具有准二维结构,高热电势(室温时S≈250μV/K)和大的热电功率因子,作为热电材料具有很好的开发和应用前景。通过固相反应法,我们分别用原子量大于和小于Ti的原子部分替代Ti位引入替位缺陷(NiTi″,AlTi′,MgTi″),合成了不同元素替代掺杂化合物M0.04Ti0.96S2(M=Ni,Al,Mg),在5-310K的温度范围内研究了各化合物的电阻率、热导率及热电势率与温度的对应关系。结果表明Ni、Al、Mg三种元素的掺杂均引起了主体材料从金属性到半导体导电性质的转变,且在低温范围内呈现莫特二维变程跳跃电导规律,lnσ∝T-1/3,表明了TiS2的二维导电机制。值得注意的是:①Mg、Al的掺杂引起了热电势绝对值的显著增高,特别是Al掺杂的化合物在310K时热电势率为-500μV/K,达到了纯TiS2的200%;②Ni掺杂也在整个研究温区引起热导率的明显下降,而Mg、Al的掺杂却在整个研究温区引起热导率的明显升高。由于电阻率的增大,Ni、Al的掺杂均没能使得材料的ZT值有所提高,而Mg的掺杂明显地提高了TiS2的ZT值,在310K其ZT值是纯TiS2的1.6倍。这表明元素掺杂是提高材料的热电优值的有效途径之一。
张建秦晓英李地辛红星宋春军
关键词:热电电阻率热导率
Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能
2010年
采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm(Mg3Sb2)下降到137Ωcm((Mg0.97Cr0.03)3Sb2)、121Ωcm((Mg0.97Ti0.03)3Sb2)、109Ωcm((Mg0.97Cu0.03)3Sb2)。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。
辛红星秦晓英张宽心宋春军张建朱晓光
关键词:机械合金化纳米晶电阻率
共1页<1>
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