您的位置： 专家智库 > >

吴小峰

作品数：2 被引量：11H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米压印
  • 2篇纳米压印技术
  • 1篇电感耦合
  • 1篇电感耦合等离...
  • 1篇离子
  • 1篇晶体
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇光子
  • 1篇光子晶体
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇反应离子
  • 1篇出光
  • 1篇出光效率

机构

  • 2篇华中科技大学
  • 1篇武汉科技大学

作者

  • 2篇徐智谋
  • 2篇吴小峰
  • 2篇孙堂友
  • 1篇王双保
  • 1篇刘文
  • 1篇张晓庆
  • 1篇赵文宁
  • 1篇彭静

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于纳米压印的高出光效率LED的制备方法
本发明公开了一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法，包括：（1）利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印模板；（2）对所述纳米压印模板进行防粘处理；（3）在目标片上旋涂一层光刻胶；（4）将上述纳米压印模板与目标片进行纳米压印；...
孙堂友徐智谋刘文吴小峰张晓庆赵文宁王双保
文献传递
纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究被引量：11
2013年
利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450nm,纳米孔直径为240nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.
彭静徐智谋吴小峰孙堂友
关键词：光子晶体纳米压印发光二极管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0