吕起鹏
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院大连化学物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射中偏压对薄膜污染的影响被引量：1
- 2013年
- 薄膜溅射过程中杂质污染问题是影响薄膜质量的重要因素,会造成薄膜的吸收和散射损耗增大、结合力下降,形成针孔等。采用射频磁控溅射沉积氧化铝薄膜时,发现在不同负偏压条件下,真空室内的金属离子会造成不同程度薄膜污染,采用XPS对污染物进行了测试表征,并对污染来源进行了分析,最后得出结论:在较高负偏压条件下真空室器壁金属溅射,是造成镀制氧化铝薄膜的重要污染源。
- 公发全李刚吕起鹏贾春燕刘万发董闯
- 关键词：射频磁控溅射氧化铝薄膜偏压
- 低温等离子体辅助脉冲直流磁控溅射制备TiN薄膜被引量：4
- 2014年
- 采用一种新型的等离子体辅助脉冲直流磁控溅射溅射沉积方法,在低温状态(100℃)下制备了氮化钛薄膜,利用X射线衍射仪、轮廓仪、分光光度计、原子力显微镜对氮化钛薄膜进行了表征,研究了等离子体源在薄膜制备过程中的作用。结果表明采用该方法可在低温环境下制备高温抗氧化性能良好的氮化钛薄膜。当离子源功率为500 W时,制备的氮化钛薄膜表现良好氮化钛(111)择优取向,薄膜表面粗糙度为1.43 nm,红外反射率可达到90%。
- 吕起鹏李刚公发全王锋卢俊孙龙金玉奇
- 关键词：低温等离子体氮化钛薄膜
- 高温涂层光学特性的研究
- 针对传统磁控溅射方法沉积氮化钛涂层时存在沉积温度高、等离子体密度低;而沉积氧化铝薄膜时，条件范围很窄，较难控制，同时也很难获得高纯度的氧化铝薄膜的缺点。本文提出了一种新型的等离子体辅助脉冲直流磁控溅射方法，利用该方法制备...
- 吕起鹏
- 关键词：等离子体辅助氮化钛涂层氧化铝薄膜光学特性
- 文献传递
- 欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al_2O_3薄膜被引量：4
- 2014年
- 为实现高纯度氧化铝薄膜的快速稳定溅射沉积,采用非平衡闭合磁场孪生靶技术,利用脉冲直流磁控溅射方法,首先对溅射电压随氧流量的迟滞现象进行了研究,在此基础上,提出了一种新型的等离子体辅助溅射沉积方法。溅射过程处于迟滞回线的金属模式,保证了高的溅射速率;在真空室内引入一等离子体放电区,沉积在工件上的超薄层非化学计量比氧化铝薄膜,高速通过等离子体放电区时,放电区内解离的氧原子使得氧化铝薄膜被进一步氧化,同时放电区内的氩离子对薄膜进行轰击,增加了薄膜的致密性。利用该方法在不同等离子体功率下进行了氧化铝薄膜的制备,分别利用分光光度计、椭偏仪、原子力显微镜对薄膜的光学特性、表面形貌进行了表征,表征结果说明利用该等离子体辅助磁控溅射方法可获得高纯度的致密氧化铝薄膜。
- 李刚吕起鹏公发权王锋孙龙金玉奇
- 关键词：氧化铝薄膜透过率光学常数表面形貌
