吕荫学
- 作品数：15 被引量：18H指数：3
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- 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法
- 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个...
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- 文献传递
- 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法
- 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：对所述SOI结构进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并执行退火操作。本发明通过利用高能粒子注入在埋氧层中引入位移损伤，以此来提高SOI结构抗辐照的性能。
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- 文献传递
- 一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路被引量：3
- 2016年
- 基于3.3 V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS工艺,设计并实现了一款高速锁相环电路。该电路的压控振荡器(VCO)采用环形结构,由电压-电流转换电路和差分延时环路组成,保证频率范围的同时也兼顾面积和相位噪声,版图面积只有0.03 mm^2。测试结果显示,VCO输出频率范围为387.2~851.2 MHz。锁相环分频比为32,当输入信号为15 MHz时,VCO输出信号频率为480 MHz,其8分频输出信号在频偏1 MHz处的相位噪声为-118 d Bc/Hz,时间间隔误差(Time Interval Error,TIE)抖动的均方根值为25.27 ps。
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- 关键词：锁相环压控振荡器相位噪声抖动
- 一种高性能鉴频鉴相器的设计被引量：4
- 2012年
- 分析了电荷泵型锁相环中鉴相器和电荷泵的非理想因素及优化设计方法。基于台积电公司(TSMC)0.35μm 2层多晶硅4层金属(2P4M)CMOS工艺,设计了一种低杂散的鉴频鉴相器结构,该结构通过"自举"的方法,用单位增益放大器使充放电前后开关管各节点处的电压保持不变,从而消除了电荷共享的影响,减小了鉴相器的输出杂散。仿真结果表明相比于传统鉴相器结构,该鉴频鉴相器有效抑制了电荷共享问题,电荷泵开关管开启时的充放电电流尖峰大大减小了,鉴相前后的电压波动小于200μV,脉冲尖峰仅为3.07 mV,有效降低了鉴频鉴相器的输出杂散。
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- 关键词：鉴频鉴相器锁相环电荷泵抖动
- 二极管及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱...
- 吕荫学罗家俊
- 一种环形压控振荡器
- 本发明公开一种环形压控振荡器，包括：电流偏置电路，偶数个延迟单元和频带控制电路；所述电流偏置电路上具有参考模拟电压输入端；所述频带控制电路上具有模拟电压输入端；所述电流偏置电路，用于为各个所述延迟单元提供偏置电流；各个所...
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- 辐照加固的500MHz锁相环设计被引量：2
- 2011年
- 设计了一款与CSMC，0．5μmCMOS工艺兼容的频率为500MHz的辐照加固整数型锁相环电路。研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响。此外，通过修正BSIM3V3模型的参数以及施加脉冲电流源来模拟总剂量辐照效应和单粒子事件，对锁相环整体电路进行了电路模拟仿真以及版图寄生参数提取后仿真。模拟结果表明，辐照总剂量为1Mrad（Si）时锁相环电路仍能正常工作，产生270．58～451．64MHz的时钟输出，峰峰值抖动小于100ps，锁定时间小于4μs；同时在对单粒子事件敏感的数字电路的主要节点处施加脉冲电流源后，锁相环电路均能在短时间内产生稳定的输出。
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- 关键词：压控振荡器鉴频鉴相器总剂量辐照效应
- 二极管及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱...
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- 基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究被引量：7
- 2012年
- 研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术;系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析。通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位.天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能。
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- 关键词：静态随机存储器单粒子抗辐射加固
- 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法
- 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个...
- 吕荫学毕津顺罗家俊韩郑生叶甜春
- 文献传递
