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刘小勇

作品数：11 被引量：160H指数：4
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学化学工程天文地球环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇天文地球
  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 3篇蒙脱石
  • 2篇微结构
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体激元
  • 1篇电结晶
  • 1篇亚稳态
  • 1篇粘土
  • 1篇粘土矿
  • 1篇粘土矿物
  • 1篇酸处理
  • 1篇陶瓷
  • 1篇稳定性
  • 1篇污染
  • 1篇污染物
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇结构特征

机构

  • 11篇南京大学
  • 5篇中国科学院
  • 2篇华南农业大学

作者

  • 11篇刘小勇
  • 5篇闵乃本
  • 5篇王牧
  • 4篇张惠芬
  • 4篇郭九皋
  • 4篇吴平霄
  • 3篇李大伟
  • 2篇胡澄
  • 2篇王辅亚
  • 2篇张克勤
  • 2篇孙诚
  • 1篇尹晓波
  • 1篇周玉刚
  • 1篇钟声
  • 1篇沈波
  • 1篇汪盛
  • 1篇彭茹雯
  • 1篇陈鹏
  • 1篇黄振春
  • 1篇汪远

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇地球化学
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2005
  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
蒙脱石热处理产物的MASNMR研究被引量：13
1999年
本文对广东和平蒙脱石及其热处理产物进行了化学分析、差热和热重分析、 Ｘ 射线粉末衍射分析、红外吸收光谱分析、原子力显微镜及魔角旋转核磁共振等研究结果表明， 蒙脱石在热处理温度为５００ ～７００‘ Ｃ 时， 其 Ｓｉ、 Ａｌ 的 Ｍ Ａ Ｓ Ｎ Ｍ Ｒ 谱表现为变蒙脱石的谱学特征加热到６５９‘ Ｃ 时，蒙脱石八面体片中的羟基开始脱失， 但层状结构仍然保持， 这种羟基的脱失过程对应着八面体片中 Ａｌ （ Ⅵ） 向 Ａｌ （ Ⅳ） 的转变温度达到９００‘ Ｃ 时， 与蒙脱石有关的 Ｓｉ 谱消失， 标志着其层状结构完全被破坏， 并有新的矿物相χ Ｓｉ Ｏ２ 产生１０００‘ Ｃ 时， 出现较多的χ Ｓｉ Ｏ２ ， 同时热产物的 Ａｌ 谱发生较大的变化当温度为１２００‘ Ｃ 时， 则出现方英石及莫来石相当热处理温度达到１３５０‘ Ｃ 时，方英石及莫来石的含量略有减少，
吴平霄张惠芬郭九皋胡澄刘小勇
关键词：蒙脱石核磁共振MASNMR陶瓷
晶体生长和聚集中时空自组织现象的研究
王牧闵乃本钟声彭茹雯李大伟舒大军郝西萍孙诚张克勤刘小勇汪盛汪远尹晓波
研究了在异质衬底上由成核控制的晶体横向生长行为。研究表明当晶体以（111）面与衬底接触并沿<110>方向生长时，晶体结晶学取向发生连续旋转，晶体在衬底上形成zigzag形具有规则长程序的聚集体，充分表现确定性；而在较大尺...
关键词：
各向异性成核限制聚集形态的研究
1997年
各向异性成核限制聚集形态的研究刘小勇李大伟王牧闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京２１００９３）ＡｎｉｓｔｒｏｐｉｃＮｕｃｌｅａｔｉｏｎＬｉｍｉｔｅｄＡｇｇｒｅｇａｔｉｏｎｉｎＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈＬｉｕＸｉａｏｙｏｎｇＬｉＤａｗ...
刘小勇李大伟王牧闵乃本
关键词：各向异性晶体生长
晶体生长中的周期性粗糙化转变现象的研究
1997年
晶体生长中的周期性粗糙化转变现象的研究刘小勇李大伟孙诚王牧闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京，２１００９３）ＰｅｒｉｏｄｉｃＲｏｕｇｈｅｎｉｎｇＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｓｉｎＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈｆｒｏｍＧｅｌｓＬｉｕＸｉａｏｙｏｎｇ...
刘小勇李大伟孙诚王牧闵乃本
关键词：晶体生长
超薄人工表面等离子体激元结构及其应用研究
表面等离子体激元（Surface Plasmon Polaritons，SPPs）是一种沿金属/介质分界面传播的表面电磁波。由于它具有强的电磁场束缚能力，可以有效减小光电子器件及电路的尺寸，从而吸引研究人员的广泛关注。在...
刘小勇
关键词：结构特征
凝胶系统中晶体生长的形态及相关问题的研究
该论文选择以琼脂糖凝胶为生长介质,通过水分的蒸发产生过饱和度,以透射干涉光学显微和原子力显微镜为主要观察手段,在准二维条件下进行NH<,4>CL体的生长,系统研究了聚集形态与生长条件的关系.
刘小勇
关键词：晶体生长
无机-有机柱撑蒙脱石对苯酚的吸附被引量：90
1999年
分别用无机有机改性柱撑蒙脱石对苯酚进行吸附试验，研究它们吸附苯酚的适宜条件及吸附等温线（２５℃）。结果表明，用表面活性剂改性的柱撑蒙脱石，能大幅度提高对苯酚的吸附能力。柱撑蒙脱石对苯酚的吸附能力主要取决于改性粘土吸附剂的微孔结构和表面组分，而不仅仅依赖于表面积。经５００℃高温灼烧后柱撑蒙脱石柱结构及层间距（１．８３ｎｍ）稳定，因而柱撑蒙脱石可再生循环使用。
吴平霄张惠芬郭九皋王辅亚王辅亚
关键词：蒙脱石苯酚环境污染物
柱撑蒙脱石的微结构变化研究被引量：42
1999年
制备了柱撑蒙脱石，并运用^(27)Al核磁共振谱等技术对柱化溶液中的Al的状态进行了研究，运用X射线定向衍射技术、红外光谱、差热、热重分析及原子力显微镜等技术对往化粘土中Keggi结构的作用及热稳定性进行了研究.结果表明，AlCl3溶液在［OH－］／［Al^(3+)］＝2．4时水解生成的Kegin离子最多.柱撑蒙脱石层间距在自然状态下为2．53um，300℃灼烧后层间距稳定在1．83um，具有较好的热稳定性．
吴平霄张惠芬郭九皋王辅亚刘小勇
关键词：稳定性催化剂
MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点被引量：3
1998年
报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×１０８ｃｍ－２～６×１０９ｃｍ－２、直径约４０ｎｍ的ＧａＮ量子点。ＧａＮ量子点的密度和大小由原子力显微镜（ＡＦＭ）观察测得，并由制备温度和时间所控制。观察到ＧａＮ量子点仅在高温退火后生成，这可解释为由于低温沉积，最初的沉积层中的应变能得不到释放而成为具有较高能量的中间亚稳态相，高温退火使得应变能得到释放，生成ＧａＮ量子点。
陈鹏沈波王牧周玉刚陈志忠臧岚刘小勇黄振春郑有闵乃本杭寅
关键词：氮化镓MOCVD量子点
电结晶过程中结晶形态的表征和分析被引量：1
1997年
电结晶过程中结晶形态的表征和分析张克勤刘小勇孙诚王牧闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京２１００９３）ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＣｒｙｓｔａｌＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙｉｎＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＤｅｐｏ...
张克勤刘小勇孙诚王牧闵乃本
关键词：DLA模型电结晶晶体生长
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