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魏平

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米线
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 1篇氧化锌
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇线阵列
  • 1篇铝掺杂
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇光谱

机构

  • 3篇哈尔滨师范大...
  • 1篇哈尔滨石油学...

作者

  • 3篇魏平
  • 2篇姜威
  • 1篇张春志
  • 1篇卢会清
  • 1篇安春霞
  • 1篇高红

传媒

  • 2篇哈尔滨师范大...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铝掺杂对ZnO纳米线结构和光学性质的影响
2010年
利用化学气相沉积方法成功地合成了不同Al掺杂浓度的ZnO纳米线.从场发射扫描电子显微镜可以看出纳米线的直径约为100 nm.X射线衍射结果表明主要的衍射峰都与ZnO的晶面对应,为纤锌矿结构.当掺杂浓度达到2.0 at%时,在背散射拉曼光谱中观察到由于Al掺杂而引起的640 cm-1处的峰.光致发光谱表明,随着掺杂浓度的增加,紫外与可见发光的强度比值逐渐变小.
魏平高红姜威卢会清张春志
关键词：掺杂光致发光拉曼光谱
ZnO纳米线阵列的生长机制被引量：1
2009年
通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线图谱和X射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制.
安春霞姜威魏平
关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积
掺杂氧化锌一维纳米结构的制备及光学性质研究
一维半导体纳米材料因其独特的物理化学性质在纳米器件中有广阔的的应用前景，研究一维纳米材料有利于研究低维系统的维度与量子限域效应对系统的电学、热学和机械等性质的影响。目前纳米材料已经引起了人们极大的注意力，其中ZnO作为一...
魏平
关键词：化学气相沉积氧化锌一维纳米结构光学性质
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