颜艳明
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能(英文)
- 2010年
- InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。
- 颜艳明应鹏展崔教林付红张晓军
- 关键词：热电性能放电等离子烧结
- 不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能被引量：1
- 2011年
- 采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。
- 张晓军应鹏展崔教林付红颜艳明
- 关键词：放电等离子烧结热电性能
- 含铅GaSb基半导体的热电输运特性
- 2016年
- GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb＋Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2＋Ga浓度减少。这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能。例如,掺杂0.25%Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的~5.04×1023m-3突增到9.50×1025m-3;在867K时,电导率由0.56×104Ω-1·m-1增加到4.82×104Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63W·K-1·m-1下降到3.41W·K-1·m-1。最大热电优值（ZT）为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍。
- 王鸿翔应鹏展张钦祥颜艳明崔教林
- 关键词：热电材料
- 掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能
- 2011年
- AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备（AgSbTe2）0.405（Sb2-xCuxTe3）0.064（x=0,0.025,0.05,0.1,0.2）5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变化。结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相。掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显。
- 付红应鹏展颜艳明张晓军高榆岚
- 关键词：微观结构电学性能
- P型Ga_2Te_5基化合物的热电性能(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319～549K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低。由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549K时取得了最高ZT值0.16。
- 付红应鹏展崔教林张晓军颜艳明
- 关键词：热电性能放电等离子烧结
- 添加Sb的Ga_2Te_3合金热电性能被引量：1
- 2011年
- 本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能。结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130～240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600～1740??1·m?1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%。在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍。
- 付红应鹏展崔教林颜艳明张晓军
- 关键词：微结构热电性能
