霍晋
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于ANSYS模拟的高功率串联式LD模块的热特性分析
- 半导体激光器的热特性直接关系到器件的退化,稳定性和输出功率,是衡量激光器的重要参数。因此,对半导体激光器热特性的准确模拟和分析是半导体器件封装的重要课题。 本论文研究了基于高功率串联式LD模块的热特性,分析推导了多芯片组...
- 霍晋
- 关键词：热特性ANSYS有限元热分析
- 文献传递
- 基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性.
- 马祥柱张斯钰赵博李辉霍晋曲轶
- 关键词：垂直腔面发射激光器SIO2膜
- 基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器SIO2膜ANSYS
