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纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用被引量：1: 2002年; 用磁控溅射法在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ)薄膜,并制备了Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管,观测到这种发光二极管的１．５４μｍ电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的８倍．在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积了纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)三明治结构,其硅层厚度以０２ｎｍ为间隔从１．０ｎｍ变化到４．０ｎｍ．在室温下观察到了Ａｕ/纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的３个高斯峰,峰位分别为０．７５７ｅＶ(１．６４μｍ)、０．８０６ｅＶ(１．５４μｍ)和０．８６０ｅＶ(１．４４μｍ),半高宽分别为０．０５２、０．０４５和０．０５５ｅＶ,其中１．５４μｍ峰来源于Ｅｒ发光．当硅层厚度为１．６ｎｍ时,３个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管相应３个峰的２２、７．９和６．７倍．; 陈源冉广照戴伦袁放成秦国刚马振昌宗婉华吴正龙

固体C<,70>薄膜相变: 固体C<,70>(或C<,60>)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP...; 陈开茅冉广照陈源付济时张伯蕊朱美栋乔永平武兰青; 关键词：相变异质结; 文献传递

恒温电容瞬态时间乘积谱: 2001年; 传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.; 陈开茅陈源傅济时张伯蕊朱美栋乔永平孙允希武兰青; 关键词：深能级

纳米硅/氧化硅体系可见及近红外发光研究: 该论文较系统研究了纳米硅/氧化硅体系可见和近红外发光.得到了一些创新的实验成果.主要有以下几方面：1.每个Au/(SiO<,2>/Si/SiO<,2>)/p-Si二极管和Au/SiO<,2>（4.5nm)/p-Si对比二...; 陈源; 关键词：纳米硅电致发光光致发光双势垒发光中心

恒温电容瞬态时间乘积谱: 传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C<,60>(C<,70>),GaN等)深能级的测量,这种...; 陈开茅陈源傅济时张伯蕊朱美栋乔永平孙允希武兰青; 文献传递

在C_(70)固体p-GaAs结构中的甚深深能级: 2004年; 发展了恒温电容瞬态数据处理方法 ,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱 (ICTTS) .用ICTTS方法测量分析了C70固体 p GaAs异质结的深能级 ,结果发现在C70 固体中存在两个很深的空穴陷阱 ,H1 和H2 ,它们的能级位置分别为Ev+0 85 6eV和Ev+1 0; 冉广照陈源陈开茅张晓岚刘鸿飞; 关键词：能级空穴异质结瞬态

磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光被引量：18: 2001年; 用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系 .还发现 1.5 4μm发光峰强度与 1.38μm发光峰强度相互关联。; 袁放成冉广照陈源张伯蕊乔永平傅济时秦国刚马振昌宗婉华; 关键词：ER 光致发光铒富硅氧化硅

SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光: 2002年; 在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光。测量了由 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品分别制成的两种 LED,其 Er3+1 .5 4μm波长的电致发光峰强度 ,后者明显比前者强。还发现电致发光强度与 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+; 袁放成冉广照陈源戴伦乔永平张伯蕊秦国刚马振昌宗婉华; 关键词：铒富硅氧化硅电致发光纳米硅

在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响被引量：2: 2001年; 利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .但掺 Al结构的发光强度普遍比不掺 Al结构强 .另外 ,这两种结构的 EL具体振荡特性有明显不同 .对这两种结构的电致发光的物理机制和 Si O2 中掺; 王孙涛陈源张伯蕊乔永萍秦国刚马振昌宗婉华; 关键词：电致发光纳米硅铝掺杂

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陈源