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郭慧

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇铝合金
  • 1篇快速热退火
  • 1篇合金
  • 1篇P-N结
  • 1篇PECVD
  • 1篇SIC
  • 1篇XN
  • 1篇硅
  • 1篇FTIR
  • 1篇Y
  • 1篇H

机构

  • 2篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇邬建根
  • 2篇郭慧
  • 1篇沈孝良
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流被引量：4
1990年
快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
郭慧邬建根沈孝良屈逢源金辅政张建平朱景兵
关键词：热退火铝合金P-N结漏电流硅
SiC_xN_y:H薄膜的FTIR研究
1991年
用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜具有较好的热稳定性。
郭慧张伟朱景兵苏诚培邬建根王季陶屈逢源
关键词：FTIRPECVD
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共1页<1>
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