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赵建洪

作品数：5 被引量：15H指数：3
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇激光
  • 3篇激光制备
  • 2篇C-V
  • 1篇电性能
  • 1篇多层结构
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇铁电体
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇准分子
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇激光技术
  • 1篇光技术
  • 1篇分子

机构

  • 5篇华中理工大学
  • 1篇湖北大学

作者

  • 5篇李兴教
  • 5篇赵建洪
  • 4篇李再光
  • 3篇安承武
  • 1篇郑远开
  • 1篇顾豪爽
  • 1篇马世安
  • 1篇邝安祥
  • 1篇汪连山
  • 1篇王世敏
  • 1篇吴新民
  • 1篇王新兵

传媒

  • 4篇压电与声光
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 4篇1997
  • 1篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究被引量：2
1997年
为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。
李兴教黄新堂赵建洪郑远开董晓敏李再光王新兵李少平
关键词：铁电体
激光制备多层薄膜及铁电性能的研究被引量：4
1997年
利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。
李兴教赵建洪安承武李再光李少平
关键词：铁电薄膜铁电性能
准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究被引量：3
1997年
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。
李兴教赵建洪安承武李再光李少平
关键词：BITBIT铁电薄膜C-V特性
激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究被引量：1
1997年
采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性。
李兴教赵建洪安承武李再光李少平
关键词：激光技术
溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜被引量：8
1996年
Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of pH value of solution on quality of the thin films was studied.
顾豪爽王世敏吴新民邝安祥马世安汪连山赵建洪李兴教
关键词：溶胶-凝胶法钛酸锶铋
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