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赵国芳

作品数:1 被引量:12H指数:1
供职机构:中山大学化学与化学工程学院更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电催化
  • 1篇电催化氧化
  • 1篇电极
  • 1篇对苯二酚
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰玻碳电极
  • 1篇修饰电极
  • 1篇碳电极
  • 1篇抗坏血酸
  • 1篇化学修饰
  • 1篇化学修饰电极
  • 1篇二酚
  • 1篇苯二酚
  • 1篇玻碳
  • 1篇玻碳电极
  • 1篇催化
  • 1篇催化氧化

机构

  • 1篇中山大学

作者

  • 1篇陈贤光
  • 1篇邹小勇
  • 1篇赵国芳
  • 1篇王壬

传媒

  • 1篇分析化学

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
聚对苯二酚修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用被引量:12
2006年
采用循环伏安(CV)法制备了聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极,利用其电催化氧化作用建立了抗坏血酸的定量分析方法,探讨了其催化氧化机理。研究发现:在0.2mol/L Na2HPO4-NaH2PO4(PBS,pH7.0)缓冲溶液中,以0.1mol/L KCl作支持电解质,聚对苯二酚修饰电极(PHQ/CME)对抗坏血酸(AA)存在灵敏的催化氧化作用,氧化峰电位负移177mV。应用微分脉冲伏安法(DPV)对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在3.3×10^-1~1.7×10^-2mol/L和1.7×10^-2~1.2×10^-1mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.3×10^-6mol/L。机理研究结果表明:PHQ/CME上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因。
陈贤光王壬赵国芳邹小勇
关键词:对苯二酚化学修饰电极抗坏血酸电催化氧化
共1页<1>
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