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谭永胜

作品数：41 被引量：11H指数：1
供职机构：绍兴文理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 8篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 8篇红外
  • 7篇电极
  • 7篇晶体
  • 7篇光子
  • 7篇光子晶体
  • 6篇金属
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇白光
  • 5篇光谱
  • 5篇白光LED
  • 4篇氧化硅薄膜
  • 4篇纳米
  • 4篇介质材料
  • 4篇金属电极
  • 4篇红外辐射
  • 4篇二维光子
  • 4篇二维光子晶体
  • 4篇二氧化硅薄膜
  • 4篇衬底
  • 3篇选择性

机构

  • 41篇绍兴文理学院
  • 2篇复旦大学
  • 2篇西华师范大学
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 41篇谭永胜
  • 27篇方泽波
  • 20篇李秀东
  • 5篇刘士彦
  • 4篇龚恒翔
  • 3篇朱燕艳
  • 3篇姚博
  • 3篇余庆
  • 1篇蒋最敏
  • 1篇斯剑霄
  • 1篇陈圣
  • 1篇汪建军
  • 1篇冀婷
  • 1篇陈太红
  • 1篇李雪
  • 1篇王秩伟
  • 1篇吴海飞
  • 1篇马锡英
  • 1篇杨晓峰
  • 1篇鄢永红

传媒

  • 2篇绍兴文理学院...
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一维光子晶体选择性辐射器
本发明提供一种一维光子晶体选择性辐射器，包括基体材料和交替沉积在基体材料上的多个周期的铒掺杂二氧化硅薄膜和硅薄膜两种介质材料。其中，基体材料为硅。沉积在基体材料上的第一层薄膜是铒掺杂二氧化硅薄膜。本发明将稀土铒离子的特征...
谭永胜方泽波刘士彦
文献传递
单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究被引量：1
2012年
利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
杨晓峰谭永胜方泽波冀婷汪建军陈太红
关键词：高K栅介质
非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究被引量：8
2008年
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏
关键词：高K栅介质
脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究
2008年
利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明，当氧浓度高或Toff小，样品为锐钛矿结构，晶粒大小20～30nm；而当氧浓度低或Toff大，样品为金红石结构，晶粒大小10～15nm。应变分析表明，锐钛矿结构只存在压应变，大小0．044～0．211；而金红石存在压应变（大小0．021-0．398）或张应变（大小0．182～0．438）。氧浓度低（或Toff大）样品具有更平整的表面和更均一的晶粒大小。
王秩伟龚恒翔李雪谭永胜
关键词：TIO2反应磁控溅射形貌
一种可调谐光吸收器
本发明公开了一种可调谐光吸收器，包括基体，所述基体表面依次沉积下层金属银薄膜、下层二氧化硅介质薄膜、n型锑化铟薄膜、上层二氧化硅介质薄膜及上层金属银薄膜，本发明提供了一种吸收波长可实时动态调节的新型光吸收器。
谭永胜李秀东
文献传递
一种氧化镱光子晶体选择性辐射器
本发明涉及一种氧化镱光子晶体选择性辐射器，属于热辐射技术领域，包括基体材料和沉积在基体材料上的氧化镱薄膜，基体材料为碳化硅，氧化镱薄膜表面通过光刻刻蚀出周期性孔洞整列，形成二维光子晶体。本发明具有优异的选择性红外辐射特性...
李秀东谭永胜方泽波
一维Si/Er2O3光子晶体对Er2O3红外热辐射特性的影响
选择性辐射体在太阳能热光伏系统中有着重要的应用，优化选择性辐射体的红外热辐射性能对提高系统的光电转换效率具有重要的意义。
仇庆林方泽波姚博刘士彦徐海涛谭永胜李秀东
关键词：光子晶体
一种可变色光学器件及其制备方法
本发明公开了一种可变色光学器件，包括透明衬底、下透明导电层、下透明介质层、纳米复合层、上透明介质层、上透明导电层及三个金属电极，所述透明衬底上表面设置有下透明导电层，且下透明导电层两侧分别设置有金属电极，中间固定有下透明...
谭永胜李秀东
文献传递
Er2O3薄膜型热辐射体的制备与性能研究
稀土元素类选择性辖射器，由于其自身的选择性发射特性而备受关注，然而实验证明块状稀土氧化物的热膨胀系数大，抗热冲击能力差，开发稀土类薄膜型辐射体以替代稀土氧化物陶瓷块体，是改善其热稳定性和抗热冲击能力的一种途径。
刘士彦姚博谭永胜徐海涛方泽波
关键词：辐射体热稳定性
二维光子晶体选择性辐射器及制备方法
本发明涉及一种二维光子晶体选择性辐射器及制备方法，其中包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/...
谭永胜李秀东方泽波
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